MEMS器件晶圆级封装方法及MEMS器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210948900.3
申请日
2022-08-09
公开(公告)号
CN115215290B
公开(公告)日
2024-10-22
发明(设计)人
齐健
申请人
绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请人地址
312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
IPC主分类号
B81C1/00
IPC分类号
B81C3/00 B81B7/00 B81B7/02
代理机构
苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502
代理人
李洋;李丹
法律状态
授权
国省代码
浙江省 绍兴市
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共 50 条
[1]
MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构 [P]. 
陈福成 .
中国专利 :CN110937570A ,2020-03-31
[2]
MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构 [P]. 
黄河 ;
刘孟彬 ;
向阳辉 .
中国专利 :CN113929053A ,2022-01-14
[3]
采用晶圆级封装的MEMS器件 [P]. 
司朝伟 ;
韩国威 ;
宁瑾 ;
赵永梅 ;
杨富华 .
中国专利 :CN104401930A ,2015-03-11
[4]
一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构 [P]. 
吉萍 ;
李永智 ;
吕军 ;
金科 ;
赖芳奇 .
中国专利 :CN112624035A ,2021-04-09
[5]
一种MEMS器件的晶圆级封装方法及晶圆级封装结构 [P]. 
吉萍 ;
李永智 ;
吕军 ;
金科 ;
赖芳奇 .
中国专利 :CN112624035B ,2025-04-29
[6]
一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构 [P]. 
苏航 ;
李永智 ;
吕军 ;
赖芳奇 ;
金科 .
中国专利 :CN112624034A ,2021-04-09
[7]
一种MEMS器件晶圆级封装方法及封装结构 [P]. 
苏航 ;
李永智 ;
吕军 ;
赖芳奇 ;
金科 .
中国专利 :CN112624034B ,2025-08-05
[8]
一种MEMS器件晶圆级封装结构 [P]. 
苏航 ;
李永智 ;
吕军 ;
赖芳奇 ;
金科 .
中国专利 :CN214399812U ,2021-10-15
[9]
一种MEMS器件的晶圆级封装方法 [P]. 
冯端 ;
李平 ;
胡念楚 ;
贾斌 .
中国专利 :CN109809357A ,2019-05-28
[10]
MEMS器件圆片级真空封装方法 [P]. 
徐永青 ;
杨拥军 ;
胥超 ;
罗蓉 .
中国专利 :CN101780942B ,2010-07-21