一种参数转化方法、碳化硅晶圆定向方法以及碳化硅晶圆注入方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411185345.9

申请日：

2024-08-27

公开(公告)号：

CN119089083A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

黄丽原野王贺陈思哲

申请人：

浙江瞻芯电子科技有限公司上海瞻芯电子科技股份有限公司

申请人地址：

322009 浙江省金华市义乌市苏溪镇好派路599号

IPC主分类号：

G06F17/10

IPC分类号：

H01L21/68 H01L21/265

代理机构：

上海华诚知识产权代理有限公司 31300

代理人：

肖华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省金华市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G06F 17/10申请日:20240827
2024-12-06	公开	公开
2025-12-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种参数转化方法、碳化硅晶圆定向方法以及碳化硅晶圆注入方法 [P].

黄丽 ;

原野 ;

王贺 ;

陈思哲 .

中国专利 :CN119089083B ,2025-12-16

[2]

碳化硅晶圆和碳化硅晶圆的氧化方法 [P].

林秀岩 ;

曹力力 ;

陈伟 ;

张永熙 ;

袁志巧 .

中国专利 :CN120322001A ,2025-07-15

[3]

碳化硅晶圆切割方法 [P].

刘舟 ;

陆明 ;

吴霞芳 ;

黄小龙 ;

吴华安 ;

王太保 ;

高鹏 ;

盛辉 ;

张凯 ;

周学慧 .

中国专利 :CN115555732A ,2023-01-03

[4]

碳化硅晶圆沟槽刻蚀方法 [P].

单双 ;

薄洪生 ;

徐永斌 ;

冯东明 ;

王哲 .

中国专利 :CN116092922B ,2024-01-23

[5]

一种碳化硅晶圆翘曲的修复方法以及碳化硅晶圆 [P].

卢海彬 ;

浩瀚 ;

赵新田 ;

余胜军 ;

张万林 ;

覃振堂 ;

韦严 ;

吴思波 ;

胡玲艳 ;

张能 ;

杨水艳 ;

沈梦涵 .

中国专利 :CN121156831A ,2025-12-19

[6]

碳化硅晶圆片的制备方法和碳化硅晶圆片 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN107723797A ,2018-02-23

[7]

一种碳化硅晶圆 [P].

张行富 ;

宣丽英 ;

潘胜浆 .

中国专利 :CN216773241U ,2022-06-17

[8]

碳化硅晶圆的加工方法 [P].

曹力力 ;

许云丁 ;

陈伟 ;

张永熙 ;

袁志巧 .

中国专利 :CN120015616A ,2025-05-16

[9]

碳化硅晶圆及其制备方法 [P].

赵路 ;

张俊 ;

李炜 ;

施荣荣 .

中国专利 :CN119050000A ,2024-11-29

[10]

碳化硅晶圆减薄方法 [P].

贺冠中 ;

姚雪霞 .

中国专利 :CN111584353A ,2020-08-25

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