一种金属氧化物修饰WO3基气体传感器的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311165536.4

申请日：

2023-09-11

公开(公告)号：

CN119104595A

公开(公告)日：

2024-12-10

发明(设计)人：

台德群凌晓斌覃启铭陆振坤潘翔夏友斌方亮张志富李卓赵君成朱珠杜鸣亮罗涛刘明王政余李少勇王鹏程寅

申请人：

国网安徽省电力有限公司芜湖供电公司

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市中山北路18号

IPC主分类号：

G01N27/12

IPC分类号：

代理机构：

郑州图钉专利代理事务所(特殊普通合伙) 41164

代理人：

石路

法律状态：

公开

国省代码：

山东省济南市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	公开	公开
2024-12-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01N 27/12申请日:20230911

共 50 条

[1]

一种贵金属修饰WO<sub>3</sub>气体传感器的制备方法 [P].

梁伟 ;

禇晓红 ;

覃启铭 ;

陆振坤 ;

夏友斌 ;

潘翔 ;

李卓 ;

陈彦斌 ;

刘虎城 ;

李根 ;

黄林 ;

马兵 ;

张志富 ;

王云承 ;

卞江铜 ;

杜鸣亮 ;

蔡晨 ;

魏孝卿 .

中国专利 :CN119165009A ,2024-12-20

[2]

金属氧化物气体传感器 [P].

左国民 ;

高适 ;

张顺平 ;

王学峰 ;

李丹萍 ;

张立功 ;

王宁 ;

周建梅 ;

鲁胜利 .

中国专利 :CN208109742U ,2018-11-16

[3]

一种金属氧化物及其制备方法、气体传感器 [P].

钱立军 ;

张宸维 .

中国专利 :CN118877838A ,2024-11-01

[4]

一种金属氧化物及其制备方法、气体传感器 [P].

钱立军 ;

张宸维 .

中国专利 :CN118877838B ,2024-12-13

[5]

一种基于WO3单晶颗粒的氮氧化物传感器元件的制备方法 [P].

秦玉香 ;

沈万江 ;

胡明 ;

李晓 ;

王飞 .

中国专利 :CN102495109A ,2012-06-13

[6]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN204389426U ,2015-06-10

[7]

金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN104569061B ,2015-04-29

[8]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[9]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[10]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120359411A ,2025-07-22

← 1 2 3 4 5 →