硅片及硅片的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410834345.0

申请日：

2024-06-25

公开(公告)号：

CN119082865A

公开(公告)日：

2024-12-06

发明(设计)人：

刘赟庹欢魏星薛忠营

申请人：

上海新昇半导体科技有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区泥城镇云水路1000号

IPC主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B15/20 C30B27/02 C30B30/04 H01L21/02

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

冯启正

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20240625
2024-12-06	公开	公开

共 50 条

[1]

SOI硅片混合衬底的形成方法 [P].

王姿方 ;

辻直樹 ;

汪韬 .

中国专利 :CN120261391A ,2025-07-04

[2]

硅片承载器识别码形成方法 [P].

张宝庆 .

中国专利 :CN117457545B ,2024-03-12

[3]

硅片承载器识别码形成方法 [P].

张宝庆 .

中国专利 :CN117457545A ,2024-01-26

[4]

硅片切割方法及硅片切割装置 [P].

李昊 ;

刘永亮 ;

胡斌 .

中国专利 :CN119283214A ,2025-01-10

[5]

硅片清洗设备及硅片清洗方法 [P].

袁松柏 .

中国专利 :CN117878026A ,2024-04-12

[6]

硅片清洗方法及硅片清洗设备 [P].

张鹏奎 .

中国专利 :CN117542762A ,2024-02-09

[7]

一种单晶硅片及单晶硅片减薄方法及应用 [P].

袁建新 .

中国专利 :CN104701358A ,2015-06-10

[8]

硅片清洗方法及设备 [P].

李亮亮 .

中国专利 :CN118417229A ,2024-08-02

[9]

一种硅片边缘剥离方法及硅片 [P].

衡鹏 ;

徐鹏 ;

文英熙 .

中国专利 :CN111540676B ,2024-02-23

[10]

一种硅片边缘剥离方法及硅片 [P].

衡鹏 ;

徐鹏 ;

文英熙 .

中国专利 :CN111540676A ,2020-08-14

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