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SOI硅片混合衬底的形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410014314.0
申请日：
2024-01-04
公开(公告)号：
CN120261391A
公开(公告)日：
2025-07-04
发明(设计)人：
王姿方 辻直樹 汪韬
申请人：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址：
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号：
H01L21/762
IPC分类号：
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
王江富
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-04 公开 公开
共 50 条
[1]
混合衬底的形成方法 [P]. 
汪韬 ;
辻直樹 .
中国专利 :CN114899144A ,2022-08-12
[2]
SOI衬底、SOI器件及其形成方法 [P]. 
罗浩 .
中国专利 :CN115440790A ,2022-12-06
[3]
SOI衬底、SOI器件及其形成方法 [P]. 
罗浩 .
中国专利 :CN115440790B ,2025-08-22
[4]
SOI衬底、半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈达 .
中国专利 :CN109003936B ,2018-12-14
[5]
一种SOI衬底隔离的形成方法 [P]. 
尹海洲 ;
骆志炯 ;
朱慧珑 .
中国专利 :CN102646623A ,2012-08-22
[6]
SOI衬底、半导体器件及其形成方法 [P]. 
陈达 .
中国专利 :CN108682649B ,2018-10-19
[7]
硅片及硅片的形成方法 [P]. 
刘赟 ;
庹欢 ;
魏星 ;
薛忠营 .
中国专利 :CN119082865A ,2024-12-06
[8]
SOI衬底制备方法和SOI衬底 [P]. 
皇甫幼睿 .
中国专利 :CN105340074A ,2016-02-17
[9]
一种SOI衬底和具有SOI衬底的半导体器件及其形成方法 [P]. 
钟汇才 ;
梁擎擎 .
中国专利 :CN102412180A ,2012-04-11
[10]
半导体衬底的形成方法 [P]. 
刘佳磊 .
中国专利 :CN103794542A ,2014-05-14
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