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一种垂直液相外延石墨舟及采用其实现外延的方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411068816.8
申请日
:
2024-08-05
公开(公告)号
:
CN118957740A
公开(公告)日
:
2024-11-15
发明(设计)人
:
吴寅
何军
王佳莹
杜祥甫
申请人
:
无锡鼎桥新能源科技有限公司
申请人地址
:
214000 江苏省无锡市锡山区鹅湖镇蘅芳路92号
IPC主分类号
:
C30B19/06
IPC分类号
:
C30B19/10
代理机构
:
无锡大鲲知识产权代理事务所(普通合伙) 32671
代理人
:
陈晓莉
法律状态
:
公开
国省代码
:
江苏省 无锡市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-11-15
公开
公开
2024-12-03
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C30B 19/06申请日:20240805
共 50 条
[1]
一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法
[P].
田震
论文数:
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田震
;
周立庆
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周立庆
;
马建立
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马建立
;
胡尚正
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0
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胡尚正
.
中国专利
:CN102995115B
,2013-03-27
[2]
水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法及生长方法
[P].
不公告发明人
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0
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0
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN114934317A
,2022-08-23
[3]
水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法
[P].
不公告发明人
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不公告发明人
.
中国专利
:CN112080796B
,2020-12-15
[4]
水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法
[P].
不公告发明人
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0
不公告发明人
.
中国专利
:CN111962146A
,2020-11-20
[5]
减少表面缺陷的水平液相外延石墨舟以及水平液相外延生长方法
[P].
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机构:
黄晟
;
黄立
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
黄立
;
张冰洁
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
张冰洁
;
彭清琪
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
彭清琪
.
中国专利
:CN118910719A
,2024-11-08
[6]
一种用于水平液相外延生长的石墨舟
[P].
邸拴虎
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邸拴虎
;
袁卫华
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袁卫华
;
魏唯
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魏唯
;
罗才旺
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罗才旺
;
罗臻
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罗臻
.
中国专利
:CN111118597B
,2020-05-08
[7]
一种用于水平液相外延生长的石墨舟
[P].
罗才旺
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罗才旺
;
陈峰武
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陈峰武
;
魏唯
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0
魏唯
.
中国专利
:CN107779948A
,2018-03-09
[8]
一种用于提升液相外延薄膜质量的石墨舟及方法
[P].
邢晓帅
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
邢晓帅
;
胡易林
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
胡易林
;
郝斐
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
郝斐
;
杨美华
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
杨美华
;
杨海燕
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
杨海燕
;
折伟林
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
折伟林
;
邢伟荣
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
邢伟荣
;
曹鹏飞
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
曹鹏飞
;
王利军
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机构:
中国电子科技集团公司第十一研究所
中国电子科技集团公司第十一研究所
王利军
.
中国专利
:CN119308008A
,2025-01-14
[9]
能减少表面宏观波纹的水平液相外延石墨舟以及水平液相外延生长方法
[P].
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机构:
黄晟
;
黄立
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
黄立
;
张冰洁
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
张冰洁
;
彭清琪
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机构:
武汉高芯科技有限公司
武汉高芯科技有限公司
彭清琪
.
中国专利
:CN118910718A
,2024-11-08
[10]
一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟
[P].
邱锋
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邱锋
;
胡淑红
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胡淑红
;
孙常鸿
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孙常鸿
;
王奇伟
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王奇伟
;
吕英飞
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吕英飞
;
郭建华
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郭建华
;
邓惠勇
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邓惠勇
;
戴宁
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戴宁
.
中国专利
:CN203128690U
,2013-08-14
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