スマートカードに搭載される表面実装コンデンサを有するプリント回路[ja]

被引：0

申请号：

JP20240531322

申请日：

2021-11-30

公开(公告)号：

JP2024544048A

公开(公告)日：

2024-11-27

发明(设计)人：

申请人：

申请人地址：

IPC主分类号：

G06K19/07

IPC分类号：

G06K19/077

代理机构：

代理人：

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法律状态信息

共 50 条

[1]

増加される寿命を備える容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ[ja] [P].

日本专利 :JP2018530196A ,2018-10-11

[2]

パッケージのためのコンポーネントアレンジメントを製造するための方法、コンポーネントアレンジメントを有するパッケージを製造するための方法、コンポーネントアレンジメント、およびパッケージ[ja] [P].

日本专利 :JP2022539450A ,2022-09-09

[3]

カード、アセンブリ、カードを組み立てる方法、及び情報をアウトプットする方法[ja] [P].

日本专利 :JP2016524773A ,2016-08-18

[4]

強誘電体材料、強誘電体材料を含むＭＥＭＳコンポーネント、第１のＭＥＭＳコンポーネントを備えるＭＥＭＳデバイス、ＭＥＭＳコンポーネントを製造する方法、及びＣＭＯＳ対応ＭＥＭＳコンポーネントを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP7090753B2 ,2022-06-24

[5]

強誘電体材料、強誘電体材料を含むＭＥＭＳコンポーネント、第１のＭＥＭＳコンポーネントを備えるＭＥＭＳデバイス、ＭＥＭＳコンポーネントを製造する方法、及びＣＭＯＳ対応ＭＥＭＳコンポーネントを製造する方法[ja] [P].

日本专利 :JP2021520074A ,2021-08-12

[6]

低プリントスルー深さの３Ｄプリント用インク[ja] [P].

日本专利 :JP2021502270A ,2021-01-28

[7]

低プリントスルー深さの３Ｄプリント用インク[ja] [P].

KHALIL MOUSSA .

日本专利 :JP2022183352A ,2022-12-08

[8]

オンチップのゲート抵抗を有する半導体デバイス[ja] [P].

日本专利 :JP2025521538A ,2025-07-10

[9]

ｐ型ゲートを備えるノーマリーオン窒化ガリウムベースのトランジスタ[ja] [P].

日本专利 :JP2023551902A ,2023-12-13

[10]

量子信号クロストークを低減させるための多層プリント回路板[ja] [P].

日本专利 :JP2019532507A ,2019-11-07

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