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石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411132799.X
申请日
:
2024-08-19
公开(公告)号
:
CN118652135B
公开(公告)日
:
2024-12-31
发明(设计)人
:
陈建明
赵文超
刘显华
范子龙
张江涛
申请人
:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
申请人地址
:
215300 江苏省苏州市昆山市开发区杜鹃路555号A6#厂房
IPC主分类号
:
C04B41/87
IPC分类号
:
C30B25/00
C30B29/36
代理机构
:
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
:
夏舒晨
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-12-31
授权
授权
2024-09-17
公开
公开
2024-10-08
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C04B 41/87申请日:20240819
共 50 条
[1]
石墨部件表面碳化钽膜层的制备装置、方法及石墨部件
[P].
陈建明
论文数:
0
引用数:
0
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
陈建明
;
赵文超
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
赵文超
;
刘显华
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
刘显华
;
范子龙
论文数:
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机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
范子龙
;
张江涛
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0
机构:
苏州优晶半导体科技股份有限公司
苏州优晶半导体科技股份有限公司
张江涛
.
中国专利
:CN118652135A
,2024-09-17
[2]
碳化钽涂层石墨部件及其制备方法
[P].
杨伟锋
论文数:
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
杨伟锋
;
靳彩霞
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
靳彩霞
;
朱佰喜
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
朱佰喜
;
谢柳兵
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
谢柳兵
;
王然然
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
王然然
.
中国专利
:CN118290180A
,2024-07-05
[3]
碳化钽涂层石墨部件及其制备方法
[P].
杨伟锋
论文数:
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
杨伟锋
;
靳彩霞
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
靳彩霞
;
朱佰喜
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
朱佰喜
;
谢柳兵
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
谢柳兵
;
王然然
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机构:
广州志橙半导体有限公司
广州志橙半导体有限公司
王然然
.
中国专利
:CN118290180B
,2024-08-30
[4]
一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法
[P].
胡任浩
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机构:
浙江六方半导体科技有限公司
浙江六方半导体科技有限公司
胡任浩
;
何少龙
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机构:
浙江六方半导体科技有限公司
浙江六方半导体科技有限公司
何少龙
;
朱世相
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机构:
浙江六方半导体科技有限公司
浙江六方半导体科技有限公司
朱世相
;
李翔翔
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机构:
浙江六方半导体科技有限公司
浙江六方半导体科技有限公司
李翔翔
;
丁柳宁
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机构:
浙江六方半导体科技有限公司
浙江六方半导体科技有限公司
丁柳宁
.
中国专利
:CN119506828A
,2025-02-25
[5]
一种双层碳化钽涂层的制备方法及石墨部件
[P].
严寿亮
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
严寿亮
;
徐所成
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
徐所成
;
王明华
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
王明华
;
张振远
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
张振远
;
袁志杰
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
袁志杰
;
周杰
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
周杰
;
胡堂正
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
胡堂正
;
冯志强
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
冯志强
.
中国专利
:CN117964403A
,2024-05-03
[6]
在石墨基材表面制备碳化钽涂层的方法及石墨器件
[P].
宋新风
论文数:
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宋新风
;
王世杰
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王世杰
.
中国专利
:CN113549895A
,2021-10-26
[7]
石墨坩埚及碳化钽坩埚的制备方法
[P].
孙嘉浩
论文数:
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
孙嘉浩
;
论文数:
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机构:
曾雄辉
;
王悦
论文数:
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
王悦
;
周浩
论文数:
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
周浩
;
柯磊
论文数:
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
柯磊
;
论文数:
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机构:
徐科
.
中国专利
:CN119983802A
,2025-05-13
[8]
一种石墨部件复合涂层的制备方法、石墨部件、石墨坩埚
[P].
张振远
论文数:
0
引用数:
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
张振远
;
严寿亮
论文数:
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
严寿亮
;
袁志杰
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
袁志杰
;
徐所成
论文数:
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
徐所成
;
王明华
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机构:
杭州乾晶半导体有限公司
杭州乾晶半导体有限公司
王明华
.
中国专利
:CN118184400A
,2024-06-14
[9]
碳化钽涂层的石墨基座及其制备方法
[P].
陈中武
论文数:
0
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0
机构:
成都方大炭炭复合材料股份有限公司
成都方大炭炭复合材料股份有限公司
陈中武
;
李加飞
论文数:
0
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机构:
成都方大炭炭复合材料股份有限公司
成都方大炭炭复合材料股份有限公司
李加飞
;
何怡
论文数:
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机构:
成都方大炭炭复合材料股份有限公司
成都方大炭炭复合材料股份有限公司
何怡
;
冯加民
论文数:
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0
机构:
成都方大炭炭复合材料股份有限公司
成都方大炭炭复合材料股份有限公司
冯加民
.
中国专利
:CN120943671A
,2025-11-14
[10]
含碳化钽涂层的石墨件的制备方法
[P].
林宇
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
甬江实验室
甬江实验室
林宇
;
陈爱盛
论文数:
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0
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0
机构:
甬江实验室
甬江实验室
陈爱盛
;
肖绍铸
论文数:
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机构:
甬江实验室
甬江实验室
肖绍铸
;
何少龙
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0
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0
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0
机构:
甬江实验室
甬江实验室
何少龙
.
中国专利
:CN119462207A
,2025-02-18
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