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晶圆升降机构、薄膜沉积设备、晶圆升降方法及存储介质
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411405348.9
申请日：
2024-10-09
公开(公告)号：
CN119297145A
公开(公告)日：
2025-01-10
发明(设计)人：
胡祥明
孙少东
吴启笛
申请人：
拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司
申请人地址：
110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
IPC主分类号：
H01L21/687
IPC分类号：
C23C16/458
H01L21/677
代理机构：
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人：
徐迪
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-01-28 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/687申请日:20241009 |
| 2025-01-10 | 公开 | 公开 |