蚀刻装置和蚀刻方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010589202.X
申请日
2020-06-24
公开(公告)号
CN112185846B
公开(公告)日
2025-01-10
发明(设计)人
藤田阳
申请人
东京毅力科创株式会社
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L21/67
IPC分类号
H01L21/687 H01L21/306
代理机构
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277
代理人
刘新宇
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
蚀刻装置和蚀刻方法 [P]. 
藤田阳 .
中国专利 :CN112185846A ,2021-01-05
[2]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
曾祥秒 .
中国专利 :CN119730052B ,2025-11-04
[3]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
曾祥秒 .
中国专利 :CN119730052A ,2025-03-28
[4]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
原谦一 ;
早川崇 .
中国专利 :CN103069547A ,2013-04-24
[5]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
高桥信博 ;
萩原彩乃 ;
福田智朗 ;
铃木健斗 ;
今井佑辅 .
日本专利 :CN119678245A ,2025-03-21
[6]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
高桥信博 ;
萩原彩乃 ;
浅田泰生 ;
山口达也 .
日本专利 :CN111755329B ,2024-05-28
[7]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
须田隆太郎 ;
户村幕树 .
日本专利 :CN113053745B ,2025-07-25
[8]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
高桥信博 ;
中込健 .
中国专利 :CN115483098A ,2022-12-16
[9]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
林军 ;
竹谷考司 ;
立花光博 ;
八尾章史 ;
山内邦裕 ;
宫崎达夫 .
中国专利 :CN106409656B ,2017-02-15
[10]
蚀刻方法和蚀刻装置 [P]. 
竹谷考司 ;
杨元 ;
李桢灿 ;
户田聪 ;
羽田敬子 .
日本专利 :CN114121640B ,2025-09-09