基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202380044333.1
申请日
2023-03-23
公开(公告)号
CN119301746A
公开(公告)日
2025-01-10
发明(设计)人
桥本良知
申请人
株式会社国际电气
申请人地址
日本
IPC主分类号
H01L21/31
IPC分类号
C23C16/44 H01L21/67
代理机构
北京银龙知识产权代理有限公司 11243
代理人
范胜杰;姚海
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序及基板处理装置 [P]. 
坪田康寿 ;
岸本宗树 .
日本专利 :CN119343761A ,2025-01-21
[2]
基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 [P]. 
菊池俊之 .
日本专利 :CN120530479A ,2025-08-22
[3]
基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 [P]. 
板谷秀治 .
日本专利 :CN119895547A ,2025-04-25
[4]
基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序 [P]. 
藤野敏树 ;
岛田真一 ;
地藏久司 ;
石井昭纪 ;
油谷幸则 ;
葛西健 .
日本专利 :CN119547181A ,2025-02-28
[5]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P]. 
小川有人 ;
加我友纪直 .
日本专利 :CN119895535A ,2025-04-25
[6]
基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置 [P]. 
小川有人 .
日本专利 :CN119522472A ,2025-02-25
[7]
基板处理装置、基板处理方法、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
松井俊 ;
横川贵史 ;
小川有人 .
日本专利 :CN118715597A ,2024-09-27
[8]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
吉野晃生 ;
大桥直史 ;
高崎唯史 .
日本专利 :CN114864432B ,2025-09-12
[9]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
吉野晃生 ;
大桥直史 ;
高崎唯史 .
中国专利 :CN114864432A ,2022-08-05
[10]
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序 [P]. 
室林正季 ;
堀田智树 .
日本专利 :CN120937119A ,2025-11-11