芯片密封环结构及其制备方法、半导体芯片及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201811101121.X
申请日
2018-09-20
公开(公告)号
CN110931434B
公开(公告)日
2025-02-07
发明(设计)人
请求不公布姓名
申请人
长鑫存储技术有限公司
申请人地址
230601 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号
H01L23/00
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
安徽省 宣城市
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共 50 条
[1]
芯片密封环结构及其制备方法、半导体芯片及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110931435B ,2025-02-07
[2]
芯片密封环结构及其制备方法、半导体芯片及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931436A ,2020-03-27
[3]
芯片密封环结构及其制备方法、半导体芯片及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931435A ,2020-03-27
[4]
芯片密封环结构及其制备方法、半导体芯片及其制备方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN110931434A ,2020-03-27
[5]
芯片密封环结构及其制备方法、半导体芯片及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN110931436B ,2024-12-06
[6]
芯片密封环结构和半导体芯片 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN209029355U ,2019-06-25
[7]
芯片密封环结构和半导体芯片 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208706621U ,2019-04-05
[8]
芯片密封环结构和半导体芯片 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN208706620U ,2019-04-05
[9]
半导体芯片、密封环结构及其制造方法 [P]. 
陈国强 ;
陈宴毅 .
中国专利 :CN102044538A ,2011-05-04
[10]
半导体器件芯片结构及其制备方法 [P]. 
曼玉选 ;
祁琼 ;
彭岩 ;
刘素平 ;
马骁宇 .
中国专利 :CN110277733A ,2019-09-24