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金属的等离子体增强低温原子层沉积

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380049294.4
申请日：
2023-06-23
公开(公告)号：
CN119403957A
公开(公告)日：
2025-02-07
发明(设计)人：
亚历山大·雷·福克斯 伊尔哈姆·莫希米 乔恩·亨利 安·埃里克森 照健·史蒂文·黎 帕特里克·奥古斯特·范克莱姆普特 基莱·乔丹·布莱克内 大卫·约瑟夫·曼迪亚
申请人：
朗姆研究公司
申请人地址：
美国加利福尼亚州
IPC主分类号：
C23C16/455
IPC分类号：
C23C16/06 C23C16/458 H01L21/02
代理机构：
上海胜康律师事务所 31263
代理人：
李献忠;童礼翎
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-07 公开 公开
2025-02-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/455申请日:20230623
共 50 条
[1]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
王东君 .
中国专利 :CN203174200U ,2013-09-04
[2]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
朱雨 .
中国专利 :CN119144944B ,2025-08-22
[3]
等离子体增强原子层沉积设备 [P]. 
朱雨 .
中国专利 :CN119144944A ,2024-12-17
[4]
等离子体增强原子层沉积系统和方法 [P]. 
松田司 .
中国专利 :CN101147248A ,2008-03-19
[5]
等离子体增强原子层沉积(PEALD)设备 [P]. 
J·帕茨谢德尔 ;
H·罗尔曼 ;
J·维查尔特 ;
F·布里特 .
中国专利 :CN112771201A ,2021-05-07
[6]
等离子体增强原子层沉积的镀膜工艺 [P]. 
陈桉苡 ;
刘安徽 ;
黄俊凯 ;
叶昌鑫 ;
沈纬徵 ;
郑博鸿 .
中国专利 :CN118086874A ,2024-05-28
[7]
等离子体增强原子层沉积的镀膜工艺 [P]. 
陈桉苡 ;
刘安辉 ;
黄俊凯 ;
叶昌鑫 ;
沈纬徵 ;
郑博鸿 .
中国专利 :CN118086874B ,2024-09-06
[8]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
彭奕博 ;
伊明辉 ;
姚立柱 ;
刘连瑞 ;
张丛 .
中国专利 :CN120575157A ,2025-09-02
[9]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
秦海丰 ;
郑波 ;
史小平 ;
兰云峰 ;
张文强 ;
王昊 ;
任晓艳 .
中国专利 :CN113106422A ,2021-07-13
[10]
等离子体增强原子层沉积设备及方法 [P]. 
张昊 ;
国政 ;
李英万 ;
刘连瑞 ;
姚立柱 .
中国专利 :CN120425321A ,2025-08-05
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