改善发光强度的发光二极管及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411293313.0

申请日：

2024-09-14

公开(公告)号：

CN119403317A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

姚振从颖张毓蔡和勋

申请人：

京东方华灿光电（苏州）有限公司

申请人地址：

215600 江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路28号

IPC主分类号：

H10H20/816

IPC分类号：

H10H20/01

代理机构：

北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138

代理人：

吕耀萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/816申请日:20240914

共 50 条

[1]

发光二极管及其制备方法 [P].

姚振 ;

从颖 ;

张毓 ;

蔡和勋 .

中国专利 :CN120076511B ,2025-12-05

[2]

发光二极管及其制备方法 [P].

姚振 ;

从颖 ;

张毓 ;

蔡和勋 .

中国专利 :CN120076511A ,2025-05-30

[3]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472B ,2025-10-03

[4]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

肖云飞 ;

贾胜敏 ;

陆香花 ;

梅劲 .

中国专利 :CN115763645B ,2025-05-06

[5]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

王明 ;

陆香花 ;

张奕 .

中国专利 :CN119108472A ,2024-12-10

[6]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

张威 ;

吴志浩 ;

王江波 .

中国专利 :CN115602772A ,2023-01-13

[7]

改善发光效果的发光二极管及其制备方法 [P].

韩艺蕃 ;

郝亚磊 ;

魏柏林 ;

石跃航 ;

王绘凝 ;

王江波 .

中国专利 :CN117747729A ,2024-03-22

[8]

改善发光效率的发光二极管及其制备方法 [P].

洪威威 ;

陆香花 ;

尚玉平 ;

梅劲 .

中国专利 :CN118448534A ,2024-08-06

[9]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

芮哲 ;

高艳龙 ;

秦双娇 ;

尹灵峰 .

中国专利 :CN115440864A ,2022-12-06

[10]

改善发光均匀性的发光二极管及其制备方法 [P].

兰叶 ;

王江波 ;

朱广敏 ;

吴志浩 ;

张威 .

中国专利 :CN119486403A ,2025-02-18

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