间隙填充材料的等离子体掺杂

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411500262.4

申请日：

2020-12-28

公开(公告)号：

CN119421416A

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

S·萨卡尔 J·S·布朗秦舒 Y·J·胡 F·M·戈德

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H10B41/35

IPC分类号：

H10B41/20 H10B43/35 H10B43/20 H10B63/00 H10B63/10 H10B12/00 H01L21/02

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	公开	公开
2025-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/35申请日:20201228

共 50 条

[1]

间隙填充材料的等离子体掺杂 [P].

S·萨卡尔 ;

J·S·布朗 ;

秦舒 ;

Y·J·胡 ;

F·M·戈德 .

中国专利 :CN113130294A ,2021-07-16

[2]

间隙填充材料的等离子体掺杂 [P].

S·萨卡尔 ;

J·S·布朗 ;

秦舒 ;

Y·J·胡 ;

F·M·戈德 .

美国专利 :CN113130294B ,2024-10-29

[3]

等离子体掺杂装置 [P].

奥村智洋 ;

中山一郎 ;

水野文二 .

中国专利 :CN100373549C ,2005-02-09

[4]

等离子体掺杂方法及等离子体掺杂装置 [P].

奥村智洋 ;

中山一郎 ;

水野文二 ;

佐佐木雄一朗 .

中国专利 :CN100364054C ,2004-05-19

[5]

等离子体掺杂装置及等离子体掺杂方法 [P].

田中胜 ;

栗山仁 ;

室冈博树 .

中国专利 :CN102339737B ,2012-02-01

[6]

粉体材料的等离子体掺杂方法 [P].

张宝顺 ;

肖建忠 ;

宗冰 ;

蔡延国 ;

鲍守珍 ;

郭梅珍 ;

王体虎 .

中国专利 :CN106449343A ,2017-02-22

[7]

等离子体掺杂装置 [P].

奥村智洋 ;

中山一郎 ;

水野文二 ;

佐佐木雄一朗 .

中国专利 :CN101276748B ,2008-10-01

[8]

感应等离子体掺杂 [P].

林思宏 ;

杨棋铭 ;

陈其贤 ;

林进祥 .

中国专利 :CN101770943A ,2010-07-07

[9]

等离子体掺杂方法 [P].

奥村智洋 ;

中山一郎 ;

水野文二 ;

佐佐木雄一朗 .

中国专利 :CN101090071A ,2007-12-19

[10]

等离子体掺杂方法 [P].

奥村智洋 ;

中山一郎 ;

水野文二 ;

佐佐木雄一朗 .

中国专利 :CN100543937C ,2007-12-19

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