一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011555330.9

申请日：

2020-12-25

公开(公告)号：

CN112635565B

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

包文中马静怡郭晓娇童领陈新宇缑赛飞周鹏张卫

申请人：

复旦大学

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

H10D30/67

IPC分类号：

H10D30/01 H10D64/27 H10D62/10 H10D62/80 H10D62/60 H10D64/01

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

授权

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种性能可控的二维半导体晶体管结构及其制备方法 [P].

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

童领 ;

陈新宇 ;

缑赛飞 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN112635565A ,2021-04-09

[2]

一种二维半导体晶体管结构 [P].

包文中 ;

马静怡 ;

郭晓娇 ;

童领 ;

陈新宇 ;

缑赛飞 ;

周鹏 ;

张卫 .

中国专利 :CN214012946U ,2021-08-20

[3]

一种性能可控的二维共栅互补场效应晶体管及其制备方法 [P].

包文中 ;

马静怡 ;

张哲嘉 ;

万景 ;

周鹏 .

中国专利 :CN117976673A ,2024-05-03

[4]

基于二维半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 [P].

孙富钦 ;

王小伟 ;

张珽 ;

何小钱 ;

周伟凡 .

中国专利 :CN119545866A ,2025-02-28

[5]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570B ,2025-12-30

[6]

一种二维半导体晶体管及其制备方法 [P].

陈鹏 ;

刘贤龙 ;

李宇轩 .

中国专利 :CN119997570A ,2025-05-13

[7]

基于二维半导体的固态源掺杂方法及二维半导体晶体管 [P].

姜建峰 ;

邱晨光 ;

彭练矛 .

中国专利 :CN115911105B ,2024-08-02

[8]

一种二维半导体材料晶体管及其制备方法 [P].

彭雅琳 ;

张广宇 ;

杨蓉 ;

杨威 ;

时东霞 .

中国专利 :CN115621322A ,2023-01-17

[9]

一种基于二维半导体材料薄膜晶体管 [P].

袁地 ;

张静 ;

耿会娟 ;

田俊龙 ;

李胜楠 .

中国专利 :CN217114401U ,2022-08-02

[10]

基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法 [P].

周鹏 ;

刘春森 ;

张卫 .

中国专利 :CN107611034A ,2018-01-19

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