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一种基于机器学习的晶体生长过程优化控制系统及方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411804864.9
申请日：
2024-12-10
公开(公告)号：
CN119336101A
公开(公告)日：
2025-01-21
发明(设计)人：
蒋国忠 袁文林 戴少涛 何昕 吴学军 伍锐 伍宇扬 马韬 伍铭越
申请人：
江西联创光电超导应用有限公司 宁夏盈谷实业股份有限公司
申请人地址：
330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区京东大道168号科技大楼107号一、二楼
IPC主分类号：
G05D23/30
IPC分类号：
G06T7/00 G06T7/13 G06T7/60 G06F18/23213 C30B35/00 C30B29/06
代理机构：
北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297
代理人：
白秀梅
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G05D 23/30申请日:20241210
2025-01-21 公开 公开
共 50 条
[1]
一种晶体生长过程热量管理优化方法及系统 [P]. 
蒋国忠 ;
伍锐 ;
高琪 ;
时刚 ;
戴少涛 ;
伍宇扬 ;
伍铭越 ;
何昕 ;
吴学军 .
中国专利 :CN119292384B ,2025-05-30
[2]
一种晶体生长过程热量管理优化方法及系统 [P]. 
蒋国忠 ;
伍锐 ;
高琪 ;
时刚 ;
戴少涛 ;
伍宇扬 ;
伍铭越 ;
何昕 ;
吴学军 .
中国专利 :CN119292384A ,2025-01-10
[3]
一种晶体生长过程高宽比控制方法 [P]. 
潘丰 ;
王蕾 .
中国专利 :CN110359081B ,2019-10-22
[4]
一种晶体生长过程高精度温度控制系统 [P]. 
潘丰 ;
沈正阳 ;
邹金鹏 .
中国专利 :CN106637381A ,2017-05-10
[5]
一种晶体生长过程高精度温度控制系统 [P]. 
潘丰 ;
沈正阳 ;
邹金鹏 .
中国专利 :CN206486619U ,2017-09-12
[6]
监测晶体生长的控制系统及方法 [P]. 
李再兴 ;
李端科 ;
张利 ;
李浩毅 ;
王剑刚 .
中国专利 :CN117646272B ,2024-08-06
[7]
监测晶体生长的控制系统及方法 [P]. 
李再兴 ;
李端科 ;
张利 ;
李浩毅 ;
王剑刚 .
中国专利 :CN117646272A ,2024-03-05
[8]
反馈晶体生长状态的方法、晶体生长控制方法及控制系统 [P]. 
朱允中 ;
王彪 ;
林少鹏 ;
马德才 .
中国专利 :CN106801250B ,2017-06-06
[9]
一种晶体生长工艺、晶体生长用气氛控制系统及控制方法 [P]. 
陈鹏飞 ;
杨倩倩 ;
李汶烩 .
中国专利 :CN119041013A ,2024-11-29
[10]
一种PVT晶体生长过程精确可控的生长装置 [P]. 
忻隽 ;
孔海宽 ;
涂小牛 ;
胡阳 .
中国专利 :CN120608319A ,2025-09-09
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