坩埚、碳化硅晶体生长设备及坩埚制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411584999.9

申请日：

2024-11-07

公开(公告)号：

CN119411218A

公开(公告)日：

2025-02-11

发明(设计)人：

余剑云

申请人：

重庆奕欣科技有限公司

申请人地址：

401133 重庆市江北区鱼嘴镇永和路39号10层1021室

IPC主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253

代理人：

宋东阳;姚勇政

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-11	公开	公开
2025-02-28	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 23/00申请日:20241107

共 50 条

[1]

碳化硅晶体生长坩埚及生长方法 [P].

杨弥珺 ;

赵新田 .

中国专利 :CN114059163A ,2022-02-18

[2]

碳化硅晶体生长坩埚及其制备方法、晶体生长炉 [P].

李丙菊 ;

廖雨舟 ;

谭善宥 ;

吴海源 ;

彭浩波 ;

李军 ;

廖寄乔 .

中国专利 :CN117626417A ,2024-03-01

[3]

碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

李京波 ;

夏建白 ;

陈素春 .

中国专利 :CN215404657U ,2022-01-04

[4]

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置 [P].

徐良 ;

曹力力 ;

蓝文安 ;

朱卫祥 ;

阳明益 ;

刘建哲 ;

余雅俊 .

中国专利 :CN210974929U ,2020-07-10

[5]

碳化硅晶体生长坩埚、籽晶及晶体生长方法 [P].

欧阳鹏根 ;

张志伟 ;

汪传勇 ;

胡建荣 .

中国专利 :CN119710929A ,2025-03-28

[6]

用于碳化硅晶体生长的坩埚 [P].

秦俊 ;

申慧 ;

王小刚 ;

翟虎 ;

宋亚滨 .

中国专利 :CN218026458U ,2022-12-13

[7]

生长坩埚及碳化硅晶体生长装置 [P].

吴亚娟 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN217378098U ,2022-09-06

[8]

双坩埚碳化硅晶体生长装置及方法 [P].

张炜国 .

中国专利 :CN117737835A ,2024-03-22

[9]

用于碳化硅晶体生长的坩埚组件及生长设备 [P].

陈豆 ;

马远 ;

潘尧波 .

中国专利 :CN118407125A ,2024-07-30

[10]

用于碳化硅晶体生长的坩埚、设备以及方法 [P].

郑秉胄 .

中国专利 :CN119685933A ,2025-03-25

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