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一种功率半导体器件封装烧结评估方法及系统

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411959698.X
申请日：
2024-12-30
公开(公告)号：
CN119381281A
公开(公告)日：
2025-01-28
发明(设计)人：
郝建勇 张振中
申请人：
苏州中瑞宏芯半导体有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区东长路88号2.5产业园N3幢101室
IPC主分类号：
H01L21/66
IPC分类号：
G01N23/00 G01N25/48 G01R31/26 G01R27/08
代理机构：
苏州钟林知识产权代理事务所(普通合伙) 32756
代理人：
曹念
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-03-21 授权 授权
2025-02-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/66申请日:20241230
2025-01-28 公开 公开
共 50 条
[1]
一种功率半导体器件封装烧结评估方法及系统 [P]. 
郝建勇 ;
张振中 .
中国专利 :CN119381281B ,2025-03-21
[2]
一种功率半导体器件封装烧结评估方法 [P]. 
孔凡标 ;
许生根 .
中国专利 :CN114324427A ,2022-04-12
[3]
一种功率半导体器件封装烧结评估方法 [P]. 
孔凡标 ;
许生根 .
中国专利 :CN114324427B ,2024-08-23
[4]
一种功率半导体器件的封装烧结评估方法及装置 [P]. 
岑玮 ;
吴昊 .
中国专利 :CN120274922A ,2025-07-08
[5]
用于功率半导体器件的封装方法与封装的功率半导体器件 [P]. 
魏晓光 ;
张语 ;
吴沛飞 ;
林仲康 ;
杨光 .
中国专利 :CN119920698B ,2025-05-30
[6]
基于图像分析的功率半导体器件封装烧结评估方法及装置 [P]. 
岑玮 ;
吴昊 .
中国专利 :CN121053075A ,2025-12-02
[7]
用于功率半导体器件的封装方法与封装的功率半导体器件 [P]. 
魏晓光 ;
张语 ;
吴沛飞 ;
林仲康 ;
杨光 .
中国专利 :CN119920698A ,2025-05-02
[8]
功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件 [P]. 
孙志斌 ;
李海军 ;
宣雷 .
中国专利 :CN119049986A ,2024-11-29
[9]
一种功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件 [P]. 
袁毅凯 ;
谢健兴 ;
成年斌 ;
詹洪桂 ;
袁海龙 ;
蒙求恩 .
中国专利 :CN115527876A ,2022-12-27
[10]
功率半导体器件的封装烧结控制方法及装置 [P]. 
岑玮 ;
吴昊 .
中国专利 :CN120149211A ,2025-06-13
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