基于图像分析的功率半导体器件封装烧结评估方法及装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202511119562.2
申请日
2025-08-11
公开(公告)号
CN121053075A
公开(公告)日
2025-12-02
发明(设计)人
岑玮 吴昊
申请人
深圳市先进连接科技有限公司
申请人地址
518000 广东省深圳市宝安区沙井街道后亭社区后亭茅洲山工业园工业大厦全至科技创新园科创大厦20层F
IPC主分类号
G06T7/00
IPC分类号
G06T17/00 G06T7/30
代理机构
深圳汉林汇融知识产权代理事务所(普通合伙) 44850
代理人
刘临利
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 深圳市
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共 50 条
[1]
一种功率半导体器件的封装烧结评估方法及装置 [P]. 
岑玮 ;
吴昊 .
中国专利 :CN120274922A ,2025-07-08
[2]
一种功率半导体器件封装烧结评估方法 [P]. 
孔凡标 ;
许生根 .
中国专利 :CN114324427A ,2022-04-12
[3]
一种功率半导体器件封装烧结评估方法 [P]. 
孔凡标 ;
许生根 .
中国专利 :CN114324427B ,2024-08-23
[4]
一种功率半导体器件封装烧结评估方法及系统 [P]. 
郝建勇 ;
张振中 .
中国专利 :CN119381281B ,2025-03-21
[5]
一种功率半导体器件封装烧结评估方法及系统 [P]. 
郝建勇 ;
张振中 .
中国专利 :CN119381281A ,2025-01-28
[6]
功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件 [P]. 
孙志斌 ;
李海军 ;
宣雷 .
中国专利 :CN119049986A ,2024-11-29
[7]
功率半导体器件的封装烧结控制方法及装置 [P]. 
岑玮 ;
吴昊 .
中国专利 :CN120149211A ,2025-06-13
[8]
用于功率半导体器件的封装方法与封装的功率半导体器件 [P]. 
魏晓光 ;
张语 ;
吴沛飞 ;
林仲康 ;
杨光 .
中国专利 :CN119920698B ,2025-05-30
[9]
用于功率半导体器件的封装方法与封装的功率半导体器件 [P]. 
魏晓光 ;
张语 ;
吴沛飞 ;
林仲康 ;
杨光 .
中国专利 :CN119920698A ,2025-05-02
[10]
一种功率半导体器件的烧结方法及功率半导体器件 [P]. 
袁毅凯 ;
谢健兴 ;
成年斌 ;
詹洪桂 ;
袁海龙 ;
蒙求恩 .
中国专利 :CN115527876A ,2022-12-27