金属和陶瓷基板的一体化方法、基板结构及复合基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411417010.5

申请日：

2024-10-11

公开(公告)号：

CN119403304A

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

井敏张继东

申请人：

张继东

申请人地址：

518000 广东省深圳市福田区莲花路1106号代管2

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

H10H20/857 H10H20/858 H01L23/498 H01L23/538 H01L23/367 H01L23/373 H01L21/48 H01L21/768

代理机构：

苏州中合知识产权代理事务所(普通合伙) 32266

代理人：

崔春康

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	公开	公开
2025-02-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/01申请日:20241011

共 50 条

[1]

金属和陶瓷基板的一体化方法、基板结构及封装结构 [P].

井敏 ;

张继东 .

中国专利 :CN119403305A ,2025-02-07

[2]

一体化绝缘陶瓷基板 [P].

张剑锋 .

中国专利 :CN102856266A ,2013-01-02

[3]

陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法 [P].

津川优太 ;

西村浩二 ;

小桥圣治 ;

江嶋善幸 ;

汤浅晃正 .

中国专利 :CN114830837A ,2022-07-29

[4]

陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法 [P].

津川优太 ;

西村浩二 ;

小桥圣治 ;

江嶋善幸 ;

汤浅晃正 .

日本专利 :CN114667806B ,2024-04-02

[5]

陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法 [P].

津川优太 ;

西村浩二 ;

小桥圣治 ;

江嶋善幸 ;

汤浅晃正 .

中国专利 :CN114667806A ,2022-06-24

[6]

陶瓷基板、复合基板及电路基板以及陶瓷基板的制造方法、复合基板的制造方法、电路基板的制造方法及多个电路基板的制造方法 [P].

津川优太 ;

西村浩二 ;

小桥圣治 ;

江嶋善幸 ;

汤浅晃正 .

日本专利 :CN114830837B ,2024-04-02

[7]

陶瓷复合基板及陶瓷复合基板的制造方法 [P].

津川优太 ;

矢野清治 ;

田中淳一 .

日本专利 :CN118891961A ,2024-11-01

[8]

复合陶瓷基板的制造方法及复合陶瓷基板 [P].

刘磊仁 ;

廖勇波 ;

李春艳 ;

王令 .

中国专利 :CN117003565B ,2024-12-20

[9]

陶瓷复合基板及陶瓷复合基板的制造方法 [P].

津川优太 ;

矢野清治 ;

田中淳一 .

日本专利 :CN118844120A ,2024-10-25

[10]

陶瓷复合基板加工方法和多层陶瓷复合基板加工方法 [P].

刘若鹏 ;

赵治亚 ;

缪锡根 ;

林云燕 .

中国专利 :CN103172369A ,2013-06-26

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