一种半导体器件主动对准装置及其对准方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411883437.4

申请日：

2024-12-19

公开(公告)号：

CN119480745A

公开(公告)日：

2025-02-18

发明(设计)人：

仇葳王华江显华

申请人：

天津金海通半导体设备股份有限公司

申请人地址：

300384 天津市滨海新区华苑产业区物华道8号A106

IPC主分类号：

H01L21/68

IPC分类号：

H01L21/683 H01L21/687

代理机构：

天津企兴智财知识产权代理有限公司 12226

代理人：

李娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

天津市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/68申请日:20241219
2025-02-18	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体器件主动对准装置 [P].

仇葳 ;

王华 ;

江显华 .

中国专利 :CN223552510U ,2025-11-14

[2]

半导体器件的对准方法及其对准系统 [P].

严杰 ;

王桂晨 ;

傅焰峰 .

中国专利 :CN114242636A ,2022-03-25

[3]

半导体器件的对准方法及其对准系统 [P].

严杰 ;

王桂晨 ;

傅焰峰 .

中国专利 :CN114242636B ,2025-01-28

[4]

半导体对准装置及半导体对准方法 [P].

陈佳政 ;

杨智凯 ;

陈亮吟 ;

张惠政 ;

杨育佳 .

中国专利 :CN114724993A ,2022-07-08

[5]

半导体器件的对准方法 [P].

颜柏寒 ;

冯耀斌 ;

张鹏真 ;

江奇辉 ;

朱欢 ;

万浩 .

中国专利 :CN108615719B ,2018-10-02

[6]

端面耦合对准方法、半导体器件 [P].

刘思旸 ;

彭超 ;

张燕 .

中国专利 :CN115236807B ,2024-04-05

[7]

自对准结构及其制备方法、半导体器件 [P].

陈蓉 ;

孙博文 ;

杨帆 ;

曹坤 .

中国专利 :CN119133056A ,2024-12-13

[8]

光刻对准标记、光刻对准方法以及半导体器件制备方法 [P].

王哲忠 ;

叶峻玮 .

中国专利 :CN111916427A ,2020-11-10

[9]

一种半导体器件制作光刻对准方法 [P].

岳金亮 ;

陈辉 ;

宋里千 ;

程银华 ;

刘鹏飞 ;

郭可 .

中国专利 :CN106919015A ,2017-07-04

[10]

一种半导体器件的自对准方法 [P].

吴海平 ;

邱凯兵 .

中国专利 :CN114334618A ,2022-04-12

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