多层电子组件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411064604.2

申请日：

2024-08-05

公开(公告)号：

CN119517615A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

尹韩索姜晟馨金知元姜旻求

申请人：

三星电机株式会社

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G4/002

IPC分类号：

H01G4/005 H01G4/12 H01G2/08

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

薛丞丞;包国菊

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开

共 50 条

[1]

多层电子组件 [P].

李承澔 ;

车炅津 ;

李承熙 .

中国专利 :CN106935396B ,2017-07-07

[2]

多层陶瓷电子组件 [P].

李淳哲 ;

郑基锡 ;

田镐仁 .

中国专利 :CN111029141B ,2020-04-17

[3]

多层电子组件和制造该多层电子组件的方法 [P].

洪容珉 ;

崔才烈 ;

洪奇勺 .

中国专利 :CN106935401A ,2017-07-07

[4]

多层电子组件 [P].

南灿熙 ;

权五训 ;

朴宰贤 ;

白宽烈 ;

李敞健 ;

丁海硕 .

韩国专利 :CN118263026A ,2024-06-28

[5]

多层电子组件及其制造方法 [P].

洪容珉 ;

洪奇杓 .

中国专利 :CN110634676A ,2019-12-31

[6]

制造多层电子组件的方法 [P].

李应硕 ;

权泰均 ;

洪昭贤 .

韩国专利 :CN118016448A ,2024-05-10

[7]

多层电子组件及其制造方法 [P].

洪容珉 ;

洪奇杓 .

中国专利 :CN106935402B ,2017-07-07

[8]

多层电子组件以及介电材料 [P].

具本亨 ;

尹硕晛 ;

权亨纯 ;

尹秉吉 ;

金世容 ;

张玟祯 ;

金建会 ;

李炳虎 .

韩国专利 :CN120183900A ,2025-06-20

[9]

多层电子组件以及介电材料 [P].

朴柩玧 ;

朴一丁 ;

陈慧珍 ;

金亨旭 ;

权亨纯 .

韩国专利 :CN120033002A ,2025-05-23

[10]

多层电子组件及介电材料 [P].

金相祐 ;

郑雪雅 .

韩国专利 :CN120356779A ,2025-07-22

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