多层电子组件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610694594.X

申请日：

2016-08-19

公开(公告)号：

CN106935402B

公开(公告)日：

2017-07-07

发明(设计)人：

洪容珉洪奇杓

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市

IPC主分类号：

H01G430

IPC分类号：

H01G4012

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

金光军;马翠平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 4/30 申请日:20160819
2017-07-07	公开	公开
2019-10-25	授权	授权

共 50 条

[1]

多层电子组件及其制造方法 [P].

洪容珉 ;

洪奇杓 .

中国专利 :CN110634676A ,2019-12-31

[2]

多层电子组件和制造该多层电子组件的方法 [P].

洪容珉 ;

崔才烈 ;

洪奇勺 .

中国专利 :CN106935401A ,2017-07-07

[3]

制造多层电子组件的方法 [P].

李应硕 ;

权泰均 ;

洪昭贤 .

韩国专利 :CN118016448A ,2024-05-10

[4]

多层陶瓷电子组件及其制造方法 [P].

朴今珍 ;

崔畅学 ;

李治和 ;

辛敏基 ;

金佑燮 ;

刘正勋 .

中国专利 :CN105719834A ,2016-06-29

[5]

多层电子组件及其制造方法 [P].

韩准兑 ;

尹瑄浩 ;

金正烈 ;

俞明花 ;

吴泳俊 ;

朴璱雅 .

中国专利 :CN114156086A ,2022-03-08

[6]

多层电子组件及其制造方法 [P].

赵珉贞 ;

金昞建 ;

吴由弘 .

中国专利 :CN114551094A ,2022-05-27

[7]

多层电子组件及其制造方法 [P].

韩准兑 ;

尹瑄浩 ;

金正烈 ;

俞明花 ;

吴泳俊 ;

朴璱雅 .

韩国专利 :CN114156086B ,2025-07-04

[8]

多层电子组件及其制造方法 [P].

郑东俊 ;

金润 ;

金显 ;

姜心忠 ;

李银贞 .

中国专利 :CN114765095A ,2022-07-19

[9]

多层电子组件及其制造方法 [P].

郑在勋 ;

罗炫雄 ;

车润聢 .

中国专利 :CN114551102A ,2022-05-27

[10]

多层电子组件及其制造方法 [P].

林凤燮 .

中国专利 :CN104766690A ,2015-07-08

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