用于EUV光刻的反射构件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380048445.4

申请日：

2023-06-27

公开(公告)号：

CN119522403A

公开(公告)日：

2025-02-25

发明(设计)人：

南东锡严涛南

申请人：

ASML荷兰有限公司

申请人地址：

荷兰

IPC主分类号：

G03F7/00

IPC分类号：

G21K1/06 G03F1/22

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

王益

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-25	公开	公开
2025-08-08	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G03F 7/00申请日:20230627

共 50 条

[1]

制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法 [P].

A.库兹尼佐夫 ;

M.格里森 ;

R.W.E.范德克鲁杰斯 ;

F.比杰科克 .

中国专利 :CN103635974A ,2014-03-12

[2]

用于EUV光刻的反射镜的基底 [P].

C.埃克斯坦 ;

H.马尔特 .

中国专利 :CN103328664B ,2013-09-25

[3]

用于EUV光刻的反射镜的基底 [P].

C.埃克斯坦 ;

J.利珀特 ;

H.马尔托 ;

M.维瑟 ;

H.西克曼 ;

U.丁格 .

中国专利 :CN103140801A ,2013-06-05

[4]

EUV光刻用光学构件及带反射层的EUV光刻用衬底的制造方法 [P].

三上正树 .

中国专利 :CN102640021A ,2012-08-15

[5]

EUV光刻用反射型掩模基板及EUV光刻用反射型掩模 [P].

木下健 .

中国专利 :CN102016717B ,2011-04-13

[6]

EUV光刻用反射型掩模基板及EUV光刻用反射型掩模 [P].

林和幸 ;

宇野俊之 ;

海老原健 .

中国专利 :CN102089860B ,2011-06-08

[7]

EUV光刻设备及EUV光刻方法 [P].

季明华 ;

黄早红 ;

任新平 .

中国专利 :CN115047729A ,2022-09-13

[8]

EUV光刻设备及EUV光刻方法 [P].

季明华 ;

黄早红 ;

任新平 .

中国专利 :CN115047729B ,2025-06-17

[9]

EUV光刻方法及EUV光刻设备 [P].

季明华 ;

董于虎 ;

黄早红 .

中国专利 :CN114911141B ,2022-08-16

[10]

用于EUV光刻的底层 [P].

梁懿宸 ;

A·M·查克 ;

王玉宝 ;

D·J·格雷罗 .

中国专利 :CN114556528A ,2022-05-27

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