EUV光刻设备及EUV光刻方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210815226.1

申请日：

2022-07-11

公开(公告)号：

CN115047729B

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

季明华黄早红任新平

申请人：

上海传芯半导体有限公司

申请人地址：

200000 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄1号楼5楼南侧

IPC主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

王宏婧

法律状态：

csemi.cn 电话：15957119926发明名称:EUV光刻设备及EUV光刻方法使用费支付方式:一次付清使用费支付标准:采用一次总付的方式，在合同生效后10日内一次性全额支付所有使用费9573000元。授权公告日:20250617许可期限届满日:20260901生效日期:20251010

国省代码：

上海市市辖区

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共 50 条

[1]

EUV光刻设备及EUV光刻方法 [P].

季明华 ;

黄早红 ;

任新平 .

中国专利 :CN115047729A ,2022-09-13

[2]

EUV光刻方法及EUV光刻设备 [P].

季明华 ;

董于虎 ;

黄早红 .

中国专利 :CN114911141B ,2022-08-16

[3]

EUV光刻设备的保护模块以及EUV光刻设备 [P].

德克·H·埃姆 ;

蒂莫·劳弗 ;

本·班尼 ;

詹斯·库格勒 ;

乌尔里克·尼肯 ;

弗兰兹·凯勒 .

中国专利 :CN102144190A ,2011-08-03

[4]

EUV光刻掩模坯料、EUV掩模及方法 [P].

许倍诚 ;

张思伟 ;

王宣懿 ;

高宇翔 ;

余青芳 ;

李信昌 .

中国专利 :CN119916637A ,2025-05-02

[5]

EUV光刻用EUV活性膜 [P].

罗伯特·克拉克 .

日本专利 :CN118284855A ,2024-07-02

[6]

EUV光刻的底层及方法 [P].

李思 ;

罗明 ;

张瑞萌 ;

K·布拉肯西克 ;

王雪 ;

梁懿宸 ;

吕欣霖 ;

吕澎涛 .

美国专利 :CN121079642A ,2025-12-05

[7]

EUV光刻用反射型掩模基板及EUV光刻用反射型掩模 [P].

木下健 .

中国专利 :CN102016717B ,2011-04-13

[8]

制造EUV模块的方法、EUV模块和EUV光刻系统 [P].

A.施梅尔 .

中国专利 :CN107531581B ,2018-01-02

[9]

EUV光刻用反射型掩模基板及EUV光刻用反射型掩模 [P].

林和幸 ;

宇野俊之 ;

海老原健 .

中国专利 :CN102089860B ,2011-06-08

[10]

用于EUV光刻的反射构件 [P].

南东锡 ;

严涛南 .

:CN119522403A ,2025-02-25

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-10	csemi.cn 电话：15957119926发明名称:EUV光刻设备及EUV光刻方法使用费支付方式:一次付清使用费支付标准:采用一次总付的方式，在合同生效后10日内一次性全额支付所有使用费9573000元。授权公告日:20250617许可期限届满日:20260901生效日期:20251010	开放许可声明IPC(主分类):G03F 7/20声明编号:XK2025980009758申请日:20220711专利权人:上海传芯半导体有限公司联系方式:联系人姓名：丁建汝邮编：201306 地址：上海市浦东新区沧海路2685号电子邮箱：jr.ding
2025-06-17	授权	授权