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一种低应力碳化硅单晶生长感应炉及碳化硅单晶生长方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411733361.7
申请日：
2024-11-29
公开(公告)号：
CN119530979A
公开(公告)日：
2025-02-28
发明(设计)人：
李建昌 丘荣生 周明旭
申请人：
东北大学
申请人地址：
110819 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号
IPC主分类号：
C30B29/36
IPC分类号：
C30B23/00 C30B33/02
代理机构：
沈阳东大知识产权代理有限公司 21109
代理人：
李珉
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-02-28 公开 公开
2025-03-18 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20241129
共 50 条
[1]
碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶生长方法 [P]. 
王海涛 ;
乔帅帅 .
中国专利 :CN120384329A ,2025-07-29
[2]
一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶 [P]. 
谢雪健 ;
王兴龙 ;
徐现刚 ;
陈秀芳 ;
胡小波 .
中国专利 :CN115573030A ,2023-01-06
[3]
一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶 [P]. 
谢雪健 ;
王兴龙 ;
徐现刚 ;
陈秀芳 ;
胡小波 .
中国专利 :CN115573030B ,2025-03-07
[4]
一种碳化硅单晶生长装置及碳化硅单晶的生长方法 [P]. 
薛卫明 ;
马远 ;
潘尧波 .
中国专利 :CN111748844A ,2020-10-09
[5]
用于碳化硅单晶生长的蜂窝坩埚及碳化硅单晶生长方法 [P]. 
任卫国 ;
姬丽云 ;
谢雪健 ;
李树强 ;
王雨雷 ;
李云通 ;
姬长来 ;
纪秋环 .
中国专利 :CN120273021A ,2025-07-08
[6]
碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统 [P]. 
陈小龙 ;
王国宾 ;
郭建刚 ;
李辉 ;
王文军 ;
盛达 .
中国专利 :CN116288647B ,2025-08-26
[7]
碳化硅单晶生长用坩埚结构和碳化硅单晶的生长方法 [P]. 
雍庆 ;
娄艳芳 ;
刘春俊 ;
王光明 ;
姚静 ;
张宁 ;
彭同华 ;
杨建 .
中国专利 :CN113789572B ,2021-12-14
[8]
一种碳化硅单晶生长炉 [P]. 
陈鹏飞 ;
李嘉琪 ;
苗浩伟 ;
杨倩倩 .
中国专利 :CN220433083U ,2024-02-02
[9]
一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及碳化硅单晶生长方法 [P]. 
高冰 ;
黄寅迪 .
中国专利 :CN121023630A ,2025-11-28
[10]
碳化硅单晶的生长方法 [P]. 
刘东峰 ;
郑向光 ;
田越 ;
杨昆 ;
刘新辉 ;
路亚娟 ;
牛晓龙 ;
陈飒 ;
刘谦 ;
闫猛 ;
李扬 .
中国专利 :CN118064966A ,2024-05-24
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