一种在聚酰亚胺层上刻蚀种子层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410523378.3

申请日：

2024-04-28

公开(公告)号：

CN118352307B

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

邹树林刘逢春徐波施元军殷岚勇

申请人：

苏州晶晟微纳半导体科技有限公司

申请人地址：

215000 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区苏虹东路188号C幢101-102、201-203

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L21/3213

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

刘逸卿

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省苏州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240428
2025-02-28	授权	授权
2024-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种在聚酰亚胺层上刻蚀种子层的方法 [P].

邹树林 ;

刘逢春 ;

徐波 ;

施元军 ;

殷岚勇 .

中国专利 :CN118352307A ,2024-07-16

[2]

一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P].

袁秋雁 ;

杜建林 ;

陈环玉 ;

左元呈 ;

毛敏 .

中国专利 :CN115321471B ,2025-01-17

[3]

一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P].

袁秋雁 ;

杜建林 ;

陈环玉 ;

左元呈 ;

毛敏 .

中国专利 :CN115321471A ,2022-11-11

[4]

一种干法刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法 [P].

周龙飞 ;

王大甲 ;

许勇 .

中国专利 :CN108346571A ,2018-07-31

[5]

一种刻蚀聚酰亚胺牺牲层的方法及应用 [P].

黄梅 ;

杜建林 ;

左元呈 ;

李明 ;

文朝军 ;

张欢 .

中国专利 :CN115458392A ,2022-12-09

[6]

干法刻蚀聚酰亚胺层的方法、再布线层及其制备方法 [P].

吕超 ;

种景 ;

董子晗 .

中国专利 :CN117747542A ,2024-03-22

[7]

在玻璃上涂覆聚酰亚胺层的装置和方法 [P].

徐黄运 .

中国专利 :CN101045613A ,2007-10-03

[8]

聚酰亚胺层的去除方法 [P].

魏旭东 ;

季骏 ;

虞嘉玮 ;

许力恒 .

中国专利 :CN121011501A ,2025-11-25

[9]

聚酰亚胺层的制备方法 [P].

王吉伟 ;

高留春 ;

眭利民 ;

牟亮伟 .

中国专利 :CN109979800A ,2019-07-05

[10]

聚酰亚胺层的制造方法 [P].

徐涛 ;

陈宏 ;

王卉 ;

付永琴 ;

曹子贵 .

中国专利 :CN105810567B ,2016-07-27

← 1 2 3 4 5 →