半导体缺陷检测器

被引:0
专利类型
外观设计
申请号
CN202430419100.2
申请日
2024-07-05
公开(公告)号
CN309135096S
公开(公告)日
2025-02-25
发明(设计)人
檀小龙 王蝶 任翼
申请人
武汉三谷工业设计有限公司
申请人地址
430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道303号光谷·芯中心2-07栋304-2
IPC主分类号
10-05
IPC分类号
代理机构
武汉智正诚专利代理事务所(普通合伙) 42278
代理人
王诗芳
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
一种半导体缺陷检测器 [P]. 
杨永利 .
中国专利 :CN105527304A ,2016-04-27
[2]
半导体辐射检测器 [P]. 
汉斯·安德森 .
中国专利 :CN110462443A ,2019-11-15
[3]
半导体辐射检测器 [P]. 
曹培炎 ;
刘雨润 .
中国专利 :CN114981685B ,2025-08-05
[4]
半导体辐射检测器 [P]. 
曹培炎 ;
刘雨润 .
中国专利 :CN113260880A ,2021-08-13
[5]
半导体辐射检测器 [P]. 
熊泽良彦 .
中国专利 :CN85106296A ,1986-12-24
[6]
半导体辐射检测器 [P]. 
曹培炎 ;
刘雨润 .
中国专利 :CN113260880B ,2025-05-16
[7]
半导体光检测器 [P]. 
薄田学 ;
广濑裕 ;
加藤刚久 ;
寺西信一 .
中国专利 :CN104885222A ,2015-09-02
[8]
半导体光检测器 [P]. 
潘锡明 ;
简奉任 .
中国专利 :CN1787219A ,2006-06-14
[9]
半导体辐射检测器 [P]. 
曹培炎 .
中国专利 :CN120457366A ,2025-08-08
[10]
半导体光位置检测器及半导体光位置检测器阵列 [P]. 
田口桂基 ;
石原兆 .
日本专利 :CN120958980A ,2025-11-14