半导体光检测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410098517.5

申请日：

2004-12-09

公开(公告)号：

CN1787219A

公开(公告)日：

2006-06-14

发明(设计)人：

潘锡明简奉任

申请人：

申请人地址：

台湾省桃园县

IPC主分类号：

H01L2714

IPC分类号：

H01L3100 G01J102

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司

代理人：

郝庆芬

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-16	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101741604215 IPC(主分类):H01L 27/14 专利号:ZL2004100985175 登记生效日:20161026 变更事项:专利权人变更前权利人:璨圆光电股份有限公司变更后权利人:晶元光电股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾桃园县变更后权利人:中国台湾新竹市科学园区力行五路5号
2006-06-14	公开	公开
2008-12-10	授权	授权
2006-08-09	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体光检测器 [P].

薄田学 ;

广濑裕 ;

加藤刚久 ;

寺西信一 .

中国专利 :CN104885222A ,2015-09-02

[2]

水平入口半导体光检测器 [P].

D·C·W·赫尔伯特 ;

D·R·维特 ;

E·T·R·基德利 ;

R·T·卡林 ;

W·Y·梁 ;

D·J·罗宾斯 ;

J·M·赫顿 .

中国专利 :CN1443312A ,2003-09-17

[3]

半导体装置和光检测器 [P].

大理洋征龙 ;

服部浩之 .

日本专利 :CN118160102A ,2024-06-07

[4]

半导体光位置检测器及半导体光位置检测器阵列 [P].

田口桂基 ;

石原兆 .

日本专利 :CN120958980A ,2025-11-14

[5]

半导体辐射检测器 [P].

熊泽良彦 .

中国专利 :CN85106296A ,1986-12-24

[6]

包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法 [P].

洪志明 ;

王子睿 ;

黄冠杰 ;

施俊吉 .

中国专利 :CN113380845A ,2021-09-10

[7]

包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法 [P].

洪志明 ;

王子睿 ;

黄冠杰 ;

施俊吉 .

中国专利 :CN113380845B ,2025-11-11

[8]

半导体光检测器的制作方法 [P].

新垣実 ;

中嶋和利 .

中国专利 :CN1221037C ,2004-03-03

[9]

光检测器 [P].

山田隆太 ;

太田琢士 .

日本专利 :CN118661259A ,2024-09-17

[10]

半导体辐射检测器 [P].

汉斯·安德森 .

中国专利 :CN110462443A ,2019-11-15

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