包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110601878.0

申请日：

2021-05-31

公开(公告)号：

CN113380845B

公开(公告)日：

2025-11-11

发明(设计)人：

洪志明王子睿黄冠杰施俊吉

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10F39/18

IPC分类号：

H10F39/10

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-11	授权	授权

共 50 条

[1]

包括光检测器的半导体结构和形成光检测器的方法 [P].

洪志明 ;

王子睿 ;

黄冠杰 ;

施俊吉 .

中国专利 :CN113380845A ,2021-09-10

[2]

半导体光检测器 [P].

薄田学 ;

广濑裕 ;

加藤刚久 ;

寺西信一 .

中国专利 :CN104885222A ,2015-09-02

[3]

半导体光检测器 [P].

潘锡明 ;

简奉任 .

中国专利 :CN1787219A ,2006-06-14

[4]

光检测器和光检测器的制造方法 [P].

横井昭仁 .

中国专利 :CN101506998B ,2009-08-12

[5]

半导体装置和光检测器 [P].

大理洋征龙 ;

服部浩之 .

日本专利 :CN118160102A ,2024-06-07

[6]

半导体光位置检测器及半导体光位置检测器阵列 [P].

田口桂基 ;

石原兆 .

日本专利 :CN120958980A ,2025-11-14

[7]

光检测器 [P].

N·赫施巴赫 ;

C·保利 .

:CN111886704B ,2024-04-12

[8]

光检测器 [P].

N·赫施巴赫 ;

C·保利 .

中国专利 :CN111886704A ,2020-11-03

[9]

半导体光检测器的制作方法 [P].

新垣実 ;

中嶋和利 .

中国专利 :CN1221037C ,2004-03-03

[10]

水平入口半导体光检测器 [P].

D·C·W·赫尔伯特 ;

D·R·维特 ;

E·T·R·基德利 ;

R·T·卡林 ;

W·Y·梁 ;

D·J·罗宾斯 ;

J·M·赫顿 .

中国专利 :CN1443312A ,2003-09-17

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