半导体光位置检测器及半导体光位置检测器阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480025818.0

申请日：

2024-01-26

公开(公告)号：

CN120958980A

公开(公告)日：

2025-11-14

发明(设计)人：

田口桂基石原兆

申请人：

浜松光子学株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H10F30/20

IPC分类号：

G01J1/02

代理机构：

北京尚诚知识产权代理有限公司 11322

代理人：

杨琦;丁哲音

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 30/20申请日:20240126
2025-11-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体光检测器 [P].

薄田学 ;

广濑裕 ;

加藤刚久 ;

寺西信一 .

中国专利 :CN104885222A ,2015-09-02

[2]

半导体光检测器 [P].

潘锡明 ;

简奉任 .

中国专利 :CN1787219A ,2006-06-14

[3]

半导体辐射检测器 [P].

熊泽良彦 .

中国专利 :CN85106296A ,1986-12-24

[4]

水平入口半导体光检测器 [P].

D·C·W·赫尔伯特 ;

D·R·维特 ;

E·T·R·基德利 ;

R·T·卡林 ;

W·Y·梁 ;

D·J·罗宾斯 ;

J·M·赫顿 .

中国专利 :CN1443312A ,2003-09-17

[5]

半导体装置和光检测器 [P].

大理洋征龙 ;

服部浩之 .

日本专利 :CN118160102A ,2024-06-07

[6]

半导体集成电路和位置检测器 [P].

川床修 ;

河合章生 .

中国专利 :CN105318848A ,2016-02-10

[7]

半导体辐射检测器 [P].

汉斯·安德森 .

中国专利 :CN110462443A ,2019-11-15

[8]

半导体辐射检测器 [P].

曹培炎 ;

刘雨润 .

中国专利 :CN114981685B ,2025-08-05

[9]

半导体辐射检测器 [P].

曹培炎 ;

刘雨润 .

中国专利 :CN113260880A ,2021-08-13

[10]

半导体辐射检测器 [P].

曹培炎 ;

刘雨润 .

中国专利 :CN113260880B ,2025-05-16

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