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一种掺氟金属氧化物薄膜及其制备方法与应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202411738997.0
申请日
:
2024-11-29
公开(公告)号
:
CN119615109A
公开(公告)日
:
2025-03-14
发明(设计)人
:
林豪
崔志洋
高平奇
申请人
:
中山大学
申请人地址
:
510275 广东省广州市海珠区新港西路135号
IPC主分类号
:
C23C16/40
IPC分类号
:
C23C16/448
C23C16/52
代理机构
:
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
:
胡静
法律状态
:
公开
国省代码
:
广东省 广州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-14
公开
公开
2025-04-01
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/40申请日:20241129
共 50 条
[1]
一种多元金属氧化物薄膜及其制备方法与应用
[P].
刘德宇
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刘德宇
;
况永波
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况永波
;
修浩
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修浩
;
安娜
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安娜
;
周扬
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周扬
.
中国专利
:CN114272936A
,2022-04-05
[2]
一种金属氧化物半导体薄膜及其制备方法与应用
[P].
平山秀雄
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平山秀雄
;
邱勇
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邱勇
;
施露
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施露
;
张洁
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张洁
;
黄秀颀
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黄秀颀
.
中国专利
:CN103065972B
,2013-04-24
[3]
一种氧化钒/过渡金属氧化物复合薄膜及其制备方法与应用
[P].
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机构:
李华
;
李雯钦
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机构:
景德镇陶瓷大学
景德镇陶瓷大学
李雯钦
;
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机构:
梁健
;
廖军
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机构:
景德镇陶瓷大学
景德镇陶瓷大学
廖军
.
中国专利
:CN121134833A
,2025-12-16
[4]
金属氧化物薄膜的制备方法
[P].
李言荣
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李言荣
;
陶伯万
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陶伯万
;
陈寅
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陈寅
;
刘兴钊
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刘兴钊
;
朱俊
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朱俊
;
吴传贵
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吴传贵
;
吴健
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吴健
.
中国专利
:CN100469940C
,2006-03-01
[5]
一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜
[P].
杨振怀
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杨振怀
;
郭远军
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郭远军
;
卫红
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卫红
;
胡琅
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胡琅
;
胡强
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胡强
;
肖永能
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肖永能
;
刘宏
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刘宏
;
郭可升
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郭可升
.
中国专利
:CN114561617A
,2022-05-31
[6]
一种P型金属氧化物薄膜的制备方法
[P].
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机构:
赵铭杰
;
李海城
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机构:
厦门理工学院
厦门理工学院
李海城
.
中国专利
:CN118460959A
,2024-08-09
[7]
一种双金属氧化物薄膜制备方法及双金属氧化物薄膜
[P].
明帅强
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
明帅强
;
戴昕童
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
戴昕童
;
夏洋
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
夏洋
;
屈芙蓉
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
屈芙蓉
;
何萌
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
何萌
;
赵丽莉
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北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
赵丽莉
;
吴非
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
吴非
;
夏天
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
夏天
.
中国专利
:CN120924941A
,2025-11-11
[8]
金属氧化物浆料、孔径可控的金属氧化物薄膜及其制备方法和应用
[P].
杨松旺
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杨松旺
;
邵君
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邵君
;
刘岩
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刘岩
.
中国专利
:CN108806829A
,2018-11-13
[9]
金属氧化物薄膜、其制备方法和应用
[P].
李亮
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李亮
;
李颖
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李颖
.
中国专利
:CN115483094A
,2022-12-16
[10]
原位氟掺杂的金属氧化物薄膜及其制备方法和薄膜晶体管
[P].
陈荣盛
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陈荣盛
;
尹雪梅
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尹雪梅
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钟伟
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钟伟
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李国元
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李国元
;
邓孙斌
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邓孙斌
;
郭海成
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郭海成
.
中国专利
:CN113223968A
,2021-08-06
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