一种金属氧化物半导体薄膜及其制备方法与应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210586412.9

申请日：

2012-12-28

公开(公告)号：

CN103065972B

公开(公告)日：

2013-04-24

发明(设计)人：

平山秀雄邱勇施露张洁黄秀颀

申请人：

申请人地址：

215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21268 H01L29786 H01L2732

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

彭秀丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-24	公开	公开
2020-12-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/336 登记生效日:20201214 变更事项:专利权人变更前权利人:昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司变更后权利人:成都辰显光电有限公司变更事项:地址变更前权利人:215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号变更后权利人:611731 四川省成都市高新区天映路146号
2013-05-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101461526694 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012105864129 申请日:20121228
2016-02-03	授权	授权

共 50 条

[1]

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

王漪 ;

周晓梁 ;

丛瑛瑛 ;

赵飞龙 ;

董俊辰 ;

韩德栋 ;

张盛东 ;

刘晓彦 .

中国专利 :CN104576759A ,2015-04-29

[2]

氧化物半导体薄膜、氧化物薄膜晶体管及其制备方法 [P].

林振国 ;

谢志强 ;

李建 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN107527946A ,2017-12-29

[3]

一种氧化物半导体薄膜及其低温溶液制备方法 [P].

兰林锋 ;

李育智 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN105742342A ,2016-07-06

[4]

氧化物半导体薄膜 [P].

大竹文人 ;

小林大士 ;

上野充 ;

和田优 ;

松本浩一 .

中国专利 :CN111373514A ,2020-07-03

[5]

一种氧化物半导体薄膜及其制备工艺 [P].

兰林锋 ;

王磊 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN106927689A ,2017-07-07

[6]

半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用 [P].

冯治华 ;

邵君 .

中国专利 :CN112289935A ,2021-01-29

[7]

氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、薄膜半导体装置及其制造方法 [P].

谷野健太 ;

半那拓 ;

竹内将人 ;

手冢尚人 .

日本专利 :CN119866389A ,2025-04-22

[8]

氧化物半导体薄膜形成用溅射靶及其制造方法、氧化物半导体薄膜、薄膜半导体装置及其制造方法 [P].

谷野健太 ;

半那拓 ;

竹内将人 ;

手冢尚人 .

日本专利 :CN119948198A ,2025-05-06

[9]

氧化物半导体薄膜检测装置及氧化物半导体薄膜检测方法 [P].

朴瑨哲 ;

文相渊 .

中国专利 :CN111141784B ,2020-05-12

[10]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

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