半导体金属氧化物薄膜及其后处理方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011177963.0

申请日：

2020-10-29

公开(公告)号：

CN112289935A

公开(公告)日：

2021-01-29

发明(设计)人：

冯治华邵君

申请人：

申请人地址：

214101 江苏省无锡市锡山经济开发区东部园区大成路1098

IPC主分类号：

H01L5148

IPC分类号：

H01L5142 H01L5144

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

周慧云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 51/48 申请日:20201029
2021-01-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种NMO氧化物半导体材料及其制备方法和应用 [P].

周贤界 ;

徐红星 ;

侯宇航 ;

卢晓鹏 ;

谢黎 ;

黄勇彪 .

中国专利 :CN116332623B ,2024-06-11

[2]

一种金属氧化物半导体薄膜及其制备方法与应用 [P].

平山秀雄 ;

邱勇 ;

施露 ;

张洁 ;

黄秀颀 .

中国专利 :CN103065972B ,2013-04-24

[3]

金属氧化物半导体薄膜、结构和方法 [P].

阳瑞·刘 ;

泰-塞克·李 ;

亨利·W.·怀特 .

中国专利 :CN101553930A ,2009-10-07

[4]

钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜及其金属氧化物薄膜晶体管 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

林振国 .

中国专利 :CN104218096A ,2014-12-17

[5]

金属氧化物后处理方法 [P].

佐藤达也 ;

刘炜 ;

夏立群 .

中国专利 :CN110998788A ,2020-04-10

[6]

金属氧化物后处理方法 [P].

佐藤达也 ;

刘炜 ;

夏立群 .

美国专利 :CN110998788B ,2024-08-23

[7]

金属氧化物浆料、孔径可控的金属氧化物薄膜及其制备方法和应用 [P].

杨松旺 ;

邵君 ;

刘岩 .

中国专利 :CN108806829A ,2018-11-13

[8]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[9]

金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 [P].

兰林锋 ;

彭俊彪 ;

王磊 ;

林振国 .

中国专利 :CN103794652A ,2014-05-14

[10]

金属氧化物薄膜、其制备方法和应用 [P].

李亮 ;

李颖 .

中国专利 :CN115483094A ,2022-12-16

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