一种外延片层的厚度测量方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510207800.9

申请日：

2025-02-25

公开(公告)号：

CN119687839A

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

杨文帆王俊程洋詹文博赵武李婷闵大勇

申请人：

苏州长光华芯光电技术股份有限公司苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司

申请人地址：

215163 江苏省苏州市高新区漓江路56号

IPC主分类号：

G01B15/02

IPC分类号：

H01S5/00

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

薛成

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01B 15/02申请日:20250225
2025-03-25	公开	公开
2025-07-08	授权	授权

共 50 条

[1]

一种外延片层的厚度测量方法 [P].

杨文帆 ;

王俊 ;

程洋 ;

詹文博 ;

赵武 ;

李婷 ;

闵大勇 .

中国专利 :CN119687839B ,2025-07-08

[2]

外延层厚度的测量方法 [P].

严耿昕 ;

曹敏 ;

张凯元 ;

姜俏 .

中国专利 :CN119905415A ,2025-04-29

[3]

一种测量外延片的外延层厚度的方法 [P].

余先育 ;

张兴华 ;

唐德明 .

中国专利 :CN114739300A ,2022-07-12

[4]

一种测量外延片的外延层厚度的装置及其测量方法 [P].

徐新华 .

中国专利 :CN119133081A ,2024-12-13

[5]

一种测量外延片的外延层厚度的装置及其测量方法 [P].

徐新华 .

中国专利 :CN119133081B ,2025-04-08

[6]

一种外延片厚度测量方法及测量系统 [P].

张凌云 ;

金柱炫 .

中国专利 :CN111578852A ,2020-08-25

[7]

外延薄膜厚度测量方法 [P].

李秀然 ;

李春雷 .

中国专利 :CN102005401A ,2011-04-06

[8]

硅衬底上硅外延层厚度的测量方法 [P].

华佑南 ;

李晓旻 .

中国专利 :CN111312609A ,2020-06-19

[9]

用于测量外延片的外延层厚度的载物台及系统 [P].

余先育 ;

张兴华 ;

唐德明 .

中国专利 :CN217306474U ,2022-08-26

[10]

胶层厚度测量方法 [P].

李禹 .

中国专利 :CN103217137B ,2013-07-24

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