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沟槽刻蚀方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202211005989.6
申请日
:
2022-08-22
公开(公告)号
:
CN115223862B
公开(公告)日
:
2025-03-14
发明(设计)人
:
杨光
何忠义
张建坤
蒋中伟
王京
周清军
申请人
:
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址
:
100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
IPC主分类号
:
H01L21/3065
IPC分类号
:
H01J37/32
代理机构
:
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112
代理人
:
彭瑞欣;王婷
法律状态
:
授权
国省代码
:
安徽省 宣城市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-03-14
授权
授权
共 50 条
[1]
一种沟槽刻蚀方法及刻蚀装置
[P].
符雅丽
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
符雅丽
.
中国专利
:CN104752152B
,2015-07-01
[2]
沟槽刻蚀方法
[P].
赵月梅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵月梅
;
曾伟雄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
曾伟雄
;
孙武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙武
;
徐若男
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐若男
.
中国专利
:CN112086351A
,2020-12-15
[3]
沟槽刻蚀方法
[P].
徐若男
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
徐若男
;
孙武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙武
;
赵月梅
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
赵月梅
;
韩宝东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
韩宝东
.
中国专利
:CN111986992A
,2020-11-24
[4]
沟槽刻蚀的方法及量测沟槽深度的装置
[P].
张海洋
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张海洋
;
孙武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孙武
.
中国专利
:CN101894755B
,2010-11-24
[5]
刻蚀沟槽的方法
[P].
崔锺武
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
崔锺武
;
金成基
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
金成基
;
李俊杰
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李俊杰
;
周娜
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周娜
;
李琳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李琳
;
王垚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王垚
.
中国专利
:CN111584358A
,2020-08-25
[6]
深沟槽刻蚀方法
[P].
陈跃华
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈跃华
;
熊磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
熊磊
.
中国专利
:CN113506734A
,2021-10-15
[7]
衬底沟槽刻蚀方法
[P].
郑浩田
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
郑浩田
;
蒋中伟
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
蒋中伟
.
中国专利
:CN115547825A
,2022-12-30
[8]
沟槽刻蚀工艺方法
[P].
柯行飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
柯行飞
.
中国专利
:CN106128994B
,2016-11-16
[9]
深沟槽刻蚀方法
[P].
周策
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
周策
;
谭理
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
谭理
;
殷敏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
殷敏
;
王玉新
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王玉新
;
丁佳
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
丁佳
.
中国专利
:CN119108275A
,2024-12-10
[10]
刻蚀沟槽的方法
[P].
周鸣
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周鸣
.
中国专利
:CN102041508A
,2011-05-04
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