钯基复合金属氧化物半导体材料及其制备方法、氢气传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411829640.3

申请日：

2024-12-12

公开(公告)号：

CN119640086A

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

刘馨璐梁欣王思明郑东前詹月辰刘海利

申请人：

中国石油化工股份有限公司中国石化销售股份有限公司

申请人地址：

100020 北京市朝阳区朝阳门北大街22号

IPC主分类号：

C22C5/00

IPC分类号：

G01N27/12 C01G53/04 C01G19/02 B82Y40/00 B82Y30/00 C22C1/02

代理机构：

天津知川知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12249

代理人：

魏凤巍

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C22C 5/00申请日:20241212
2025-10-21	授权	授权

共 50 条

[1]

钯基复合金属氧化物半导体材料及其制备方法、氢气传感器 [P].

刘馨璐 ;

梁欣 ;

王思明 ;

郑东前 ;

詹月辰 ;

刘海利 .

中国专利 :CN119640086B ,2025-10-21

[2]

复合金属氧化物半导体材料及其制备方法 [P].

董汉鹏 ;

孔祥霞 ;

张威 .

中国专利 :CN1328208C ,2005-11-09

[3]

金属氧化物半导体传感器及其制备方法 [P].

王帅毅 .

中国专利 :CN112768600A ,2021-05-07

[4]

金属氧化物半导体传感器及其制备方法 [P].

王帅毅 .

中国专利 :CN112768600B ,2024-05-03

[5]

复合氧化物半导体纳米材料的制备方法 [P].

贺平 ;

金航 .

中国专利 :CN1622283A ,2005-06-01

[6]

金属氧化物半导体气体传感器及其制备方法 [P].

张克栋 ;

顾唯兵 ;

王玲 ;

崔铮 .

中国专利 :CN104569061B ,2015-04-29

[7]

一种基于半导体金属氧化物的超薄复合薄膜氢气传感器及其制备方法 [P].

李爱东 ;

张帅 ;

王晨 ;

吴迪 .

中国专利 :CN118746604A ,2024-10-08

[8]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

孟小华 .

中国专利 :CN215768361U ,2022-02-08

[9]

金属氧化物半导体气体传感器 [P].

石仓友和 ;

藤田一孝 ;

政冈雷太郎 .

日本专利 :CN120239817A ,2025-07-01

[10]

金属氧化物半导体图像传感器 [P].

孙涛 ;

汪辉 ;

陈杰 ;

方娜 ;

田犁 .

中国专利 :CN102523393B ,2012-06-27

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