功率模块封装结构以及功率晶体管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410860323.1

申请日：

2024-06-28

公开(公告)号：

CN119650537A

公开(公告)日：

2025-03-18

发明(设计)人：

温文莹

申请人：

新唐科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L23/495

IPC分类号：

H01L25/07

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王天尧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-18	公开	公开
2025-04-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/495申请日:20240628

共 50 条

[1]

晶体管功率模块封装结构 [P].

赵承贤 ;

李鑫 ;

颜志进 ;

刘浩 ;

周新龙 ;

盘伶子 .

中国专利 :CN212392243U ,2021-01-22

[2]

晶体管功率模块封装结构及其封装方法 [P].

赵承贤 ;

李鑫 ;

颜志进 ;

刘浩 ;

周新龙 ;

盘伶子 .

中国专利 :CN111834346A ,2020-10-27

[3]

晶体管功率模块封装结构及其封装方法 [P].

赵承贤 ;

李鑫 ;

颜志进 ;

刘浩 ;

周新龙 ;

盘伶子 .

中国专利 :CN111834346B ,2025-06-24

[4]

功率晶体管模块 [P].

M·丹尼森 ;

U·伊德姆帕伊维特 ;

O·J·洛佩斯 ;

J·M·凯雅特 .

中国专利 :CN104247027A ,2014-12-24

[5]

封装的功率晶体管和功率封装 [P].

I.福斯 .

中国专利 :CN104377175B ,2015-02-25

[6]

功率晶体管 [P].

L·布尔金 ;

L·埃斯蒂夫 ;

A·帕夫林 .

法国专利 :CN117913088A ,2024-04-19

[7]

功率晶体管 [P].

S.特根 .

中国专利 :CN104347721A ,2015-02-11

[8]

带阻功率晶体管模块 [P].

李国龙 .

中国专利 :CN2268311Y ,1997-11-19

[9]

功率晶体管模块的组装结构 [P].

石上贵裕 ;

谷藤仁 ;

吉川芳彦 ;

岩崎善宏 ;

铃木宏昭 ;

谷川诚 ;

森真人 ;

川崎功 .

中国专利 :CN1194467A ,1998-09-30

[10]

功率金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

汤铭 ;

焦世平 .

中国专利 :CN103928505B ,2014-07-16

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