一种半导体应变计、压力传感器及压力传感器制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510082589.2

申请日：

2025-01-20

公开(公告)号：

CN119827021A

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

谭佳欢何文超

申请人：

孝感华工高理电子有限公司

申请人地址：

432100 湖北省孝感市孝汉大道1号华工科技孝感产业园

IPC主分类号：

G01L1/22

IPC分类号：

B81C3/00 B81C99/00 B81C1/00 B81B7/02

代理机构：

北京汇泽知识产权代理有限公司 11228

代理人：

刘思敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

湖北省孝感市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):G01L 1/22申请日:20250120
2025-04-15	公开	公开
2025-06-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):G01L 1/22登记生效日:20250610变更事项:申请人变更前权利人:孝感华工高理电子有限公司变更后权利人:武汉华工新高理电子有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:432100 湖北省孝感市孝汉大道1号华工科技孝感产业园变更后权利人:430223 湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园变更事项:申请人变更后权利人:孝感华工高理电子有限公司变更事项:国家或地区变更后权利人:中国

共 50 条

[1]

应变计式压力传感器 [P].

N·S·彼得拉卡 .

中国专利 :CN105181216B ,2015-12-23

[2]

半导体压力传感器 [P].

武田次郎 ;

市川范男 ;

鹤冈一广 .

中国专利 :CN85105726A ,1987-03-04

[3]

半导体压力传感器以及半导体压力传感器的制造方法 [P].

吉川英治 ;

出尾晋一 .

中国专利 :CN103091007B ,2013-05-08

[4]

半导体压力传感器、压力传感器装置、电子设备以及半导体压力传感器的制造方法 [P].

山田宣幸 ;

樱木正广 ;

吉田武司 ;

林启 .

中国专利 :CN102472678B ,2012-05-23

[5]

半导体压力传感器 [P].

温明生 .

中国专利 :CN2136466Y ,1993-06-16

[6]

半导体压力传感器 [P].

鲁相洙 ;

李应颜 ;

柳成昊 ;

金廷柱 ;

金景勋 .

中国专利 :CN110352505A ,2019-10-18

[7]

半导体压力传感器 [P].

佐藤公敏 .

中国专利 :CN107449538B ,2017-12-08

[8]

半导体压力传感器 [P].

吉川英治 ;

出尾晋一 .

中国专利 :CN102243125B ,2011-11-16

[9]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300744345D ,2008-02-13

[10]

半导体压力传感器 [P].

黑泽美津男 .

中国专利 :CN300735491D ,2008-01-23

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