一种高平整度衬底的抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510037125.X

申请日：

2025-01-09

公开(公告)号：

CN119748211A

公开(公告)日：

2025-04-04

发明(设计)人：

宋志强刘兴达童三红吕春富刘宇罗福敏胡文青鲁闻华杨秋云

申请人：

中锗科技有限公司

申请人地址：

211299 江苏省南京市溧水区中兴东路9号

IPC主分类号：

B24B1/00

IPC分类号：

B24B37/04 B24B37/10 B24B37/30 B24B37/34

代理机构：

南京正律知识产权代理事务所(普通合伙) 32744

代理人：

李建芳

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-04	公开	公开
2025-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B24B 1/00申请日:20250109

共 50 条

[1]

一种提高硅片平整度的抛光方法 [P].

刘畅 ;

南鑫 ;

王帅 ;

谭永麟 ;

孙晨光 ;

王彦君 .

中国专利 :CN115446726A ,2022-12-09

[2]

一种改善表面平整度的抛光方法 [P].

成子恒 ;

潘仁达 ;

张超仁 ;

黄春峰 .

中国专利 :CN115502886A ,2022-12-23

[3]

一种高平整度8英寸硅片的抛光工艺 [P].

王广勇 ;

金文明 ;

李星 ;

石明 ;

张琪 ;

韩鹏飞 ;

褚鑫 ;

王聚安 ;

吕莹 ;

孙晨光 .

中国专利 :CN110281082A ,2019-09-27

[4]

一种改善晶圆抛光平整度的抛光装置 [P].

马睿 ;

蒋昌朋 .

中国专利 :CN214186666U ,2021-09-14

[5]

一种提高硅片平整度的抛光头 [P].

沈彪 ;

李向清 ;

胡德良 .

中国专利 :CN202185817U ,2012-04-11

[6]

可以修整抛光晶片平整度的抛光头 [P].

朱蓉辉 ;

惠峰 ;

卜俊峰 ;

郑红军 ;

赵冀 .

中国专利 :CN101028699A ,2007-09-05

[7]

可以修整抛光晶片平整度的抛光头 [P].

朱蓉辉 ;

惠峰 ;

卜俊峰 ;

郑红军 ;

赵冀 .

中国专利 :CN201776703U ,2011-03-30

[8]

一种提高抛光平整度的CMP抛光垫及其制备工艺 [P].

李加海 ;

杨惠明 ;

李元祥 .

中国专利 :CN118893568B ,2025-05-30

[9]

一种提高抛光平整度的CMP抛光垫及其制备工艺 [P].

李加海 ;

杨惠明 ;

李元祥 .

中国专利 :CN118893568A ,2024-11-05

[10]

一种改善晶圆抛光平整度的抛光设备 [P].

宁富生 .

中国专利 :CN217992073U ,2022-12-09

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