一种半导体表面杂质处理装置及其方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411937213.7

申请日：

2024-12-26

公开(公告)号：

CN119812052A

公开(公告)日：

2025-04-11

发明(设计)人：

茆宏宁江斌郁言威高兴陆嘉黎李民王耽耽

申请人：

傲迪特半导体（南京）有限公司

申请人地址：

210034 江苏省南京市栖霞区润华路3号

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/68 H01L21/677

代理机构：

南京鑫之航知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32410

代理人：

汪庆朋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20241226
2025-04-11	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体表面杂质的清除方法 [P].

王汉德 .

中国专利 :CN117995648A ,2024-05-07

[2]

一种半导体表面处理方法 [P].

余周 .

中国专利 :CN114672773A ,2022-06-28

[3]

一种半导体表面处理方法 [P].

祁延刚 .

中国专利 :CN119506880A ,2025-02-25

[4]

一种半导体表面处理方法 [P].

何际福 .

中国专利 :CN114059026A ,2022-02-18

[5]

半导体表面金属杂质的去除方法 [P].

龙命潮 .

中国专利 :CN106783587B ,2017-05-31

[6]

半导体表面金属处理方法 [P].

程丙坤 .

中国专利 :CN112442665A ,2021-03-05

[7]

一种半导体表面去除氟杂质的方法 [P].

邓三军 .

中国专利 :CN111725066A ,2020-09-29

[8]

一种半导体表面去除氟杂质的方法 [P].

邓三军 .

中国专利 :CN111725066B ,2025-01-24

[9]

一种半导体设备关键腔体表面处理装置 [P].

王亚飞 ;

高鹏飞 ;

黄佳 ;

王鹏 ;

吴锋 .

中国专利 :CN221891691U ,2024-10-25

[10]

一种半导体处理装置及半导体处理方法 [P].

王博洋 ;

温子瑛 .

中国专利 :CN118248579A ,2024-06-25

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