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掩模版及其制备方法、半导体器件的制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510218653.5
申请日：
2025-02-26
公开(公告)号：
CN119781241A
公开(公告)日：
2025-04-08
发明(设计)人：
张弓玉帛 杨慧 钭诗恩 张孟龙 李福松
申请人：
芯联集成电路制造股份有限公司
申请人地址：
312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
IPC主分类号：
G03F1/80
IPC分类号：
G03F1/68
代理机构：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人：
曹廷廷
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-04-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):G03F 1/80申请日:20250226
2025-04-08 公开 公开
共 50 条
[1]
掩模版和半导体器件 [P]. 
李今朝 ;
黄韦胜 .
中国专利 :CN223123361U ,2025-07-18
[2]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
周成 ;
王厚有 ;
杨军 ;
杨昱霖 .
中国专利 :CN118231347A ,2024-06-21
[3]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN119905391A ,2025-04-29
[4]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
周成 ;
王厚有 ;
杨军 ;
杨昱霖 .
中国专利 :CN118231347B ,2024-08-13
[5]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
李晓平 ;
金泰均 ;
马迪 ;
惠世鹏 .
中国专利 :CN120221410A ,2025-06-27
[6]
半导体器件及其制备方法 [P]. 
刘虎 ;
李雪华 ;
程刘锁 ;
曹启鹏 ;
王海洋 ;
吴阳 .
中国专利 :CN120809670A ,2025-10-17
[7]
掩模版和半导体器件的形成方法 [P]. 
沈满华 ;
祖延雷 .
中国专利 :CN105629658B ,2016-06-01
[8]
半导体器件的制备方法及其半导体器件 [P]. 
连建伟 ;
王子辰 ;
陈耀冲 ;
刘铜铜 .
中国专利 :CN118919551A ,2024-11-08
[9]
半导体器件的制备方法及其半导体器件 [P]. 
黎建刚 ;
林志东 ;
李贤虎 ;
曹静怡 ;
颜球辉 ;
姚雄奎 .
中国专利 :CN118737819A ,2024-10-01
[10]
半导体结构及其制备方法、半导体器件的制备方法 [P]. 
陈科 ;
王正钦 .
中国专利 :CN115566007A ,2023-01-03
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