掩模版和半导体器件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410604099.6

申请日：

2014-10-30

公开(公告)号：

CN105629658B

公开(公告)日：

2016-06-01

发明(设计)人：

沈满华祖延雷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

G03F138

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴圳添;骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	公开	公开
2020-02-07	授权	授权
2016-06-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101667888578 IPC(主分类):G03F 1/38 专利申请号:2014106040996 申请日:20141030

共 50 条

[1]

掩模版和半导体器件 [P].

李今朝 ;

黄韦胜 .

中国专利 :CN223123361U ,2025-07-18

[2]

半导体膜的形成方法、半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

薮田久人 ;

加地信幸 ;

林享 .

中国专利 :CN102341912B ,2015-12-02

[3]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

高健 ;

李天宇 ;

石俊 ;

殷然 ;

杨红心 ;

陈彬 .

中国专利 :CN121038288A ,2025-11-28

[4]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

常庆环 ;

刘峻 ;

王猛 ;

高健 ;

汪前莉 .

中国专利 :CN121194470A ,2025-12-23

[5]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

刘国强 ;

熊博文 ;

雷威锋 ;

张恒 ;

王恩博 ;

刘峻 .

中国专利 :CN121152219A ,2025-12-16

[6]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

温智廷 ;

韩亚朋 ;

蓝洲 .

中国专利 :CN121194471A ,2025-12-23

[7]

半导体器件的形成方法和半导体器件 [P].

李乐 .

中国专利 :CN103390560A ,2013-11-13

[8]

图案、掩模图案形成方法和半导体器件制造方法 [P].

周俊卿 ;

孟晓莹 ;

张海洋 .

中国专利 :CN102983065A ,2013-03-20

[9]

掩模图案、半导体器件和形成半导体器件精细图案的方法 [P].

李洪求 .

韩国专利 :CN119786346A ,2025-04-08

[10]

半导体器件和形成方法 [P].

林宏勋 ;

许哲志 ;

黄文助 ;

苏劲宇 ;

陈彦羽 ;

华伟君 ;

洪文瀚 .

中国专利 :CN113451510A ,2021-09-28

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