半导体封装组件及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311321647.X
申请日
2023-10-12
公开(公告)号
CN119833405A
公开(公告)日
2025-04-15
发明(设计)人
朴星焕 河泰完 赵允侦
申请人
JCET星科金朋韩国有限公司
申请人地址
韩国仁川
IPC主分类号
H01L21/52
IPC分类号
H01L21/56 H01L23/04 H01L23/31 H01L25/00
代理机构
北京市君合律师事务所 11517
代理人
毛健;顾云峰
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体封装组件及其形成方法 [P]. 
张嘉诚 ;
彭逸轩 ;
林子闳 .
中国专利 :CN109411463B ,2019-03-01
[2]
半导体封装组件及其形成方法 [P]. 
林子闳 ;
萧景文 ;
彭逸轩 .
中国专利 :CN106169459A ,2016-11-30
[3]
半导体封装组件及其形成方法 [P]. 
张嘉诚 ;
彭逸轩 ;
林子闳 .
中国专利 :CN113066792A ,2021-07-02
[4]
半导体封装组件及其形成方法 [P]. 
张嘉诚 ;
彭逸轩 ;
林子闳 .
中国专利 :CN113066792B ,2025-03-11
[5]
半导体封装及其形成方法 [P]. 
李承炫 ;
朴睿进 ;
李喜秀 ;
卓铉洙 ;
朴相俊 .
韩国专利 :CN119170607A ,2024-12-20
[6]
半导体封装及其形成方法 [P]. 
许佳桂 ;
游明志 ;
赖柏辰 ;
林柏尧 ;
郑心圃 .
中国专利 :CN115064506A ,2022-09-16
[7]
半导体封装结构及其形成方法 [P]. 
张洪仁 ;
陈仁川 ;
王学德 ;
许文松 .
中国专利 :CN109256371B ,2019-01-22
[8]
半导体封装结构及其形成方法 [P]. 
叶昶麟 ;
黄耀霆 .
中国专利 :CN113851436A ,2021-12-28
[9]
半导体封装件及其形成方法 [P]. 
吕文隆 .
中国专利 :CN115692208A ,2023-02-03
[10]
半导体封装结构及其形成方法 [P]. 
黄文宏 .
中国专利 :CN113675152A ,2021-11-19