半导体封装组件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110163880.4

申请日：

2018-08-03

公开(公告)号：

CN113066792B

公开(公告)日：

2025-03-11

发明(设计)人：

张嘉诚彭逸轩林子闳

申请人：

联发科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区笃行一路一号

IPC主分类号：

H01L23/31

IPC分类号：

H01L21/56 H01L21/60 H01L23/488 H10D80/30

代理机构：

深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280

代理人：

李庆波

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体封装组件及其形成方法 [P].

张嘉诚 ;

彭逸轩 ;

林子闳 .

中国专利 :CN109411463B ,2019-03-01

[2]

半导体封装组件及其形成方法 [P].

张嘉诚 ;

彭逸轩 ;

林子闳 .

中国专利 :CN113066792A ,2021-07-02

[3]

半导体封装组件及其形成方法 [P].

林子闳 ;

萧景文 ;

彭逸轩 .

中国专利 :CN106169459A ,2016-11-30

[4]

半导体封装组件及其形成方法 [P].

朴星焕 ;

河泰完 ;

赵允侦 .

韩国专利 :CN119833405A ,2025-04-15

[5]

半导体封装结构、形成方法及半导体封装组件 [P].

陈发泉 ;

于达人 ;

杨柏俊 ;

潘宗余 ;

陈泰宇 ;

刘乃玮 ;

林世钦 ;

许文松 .

中国专利 :CN118507457A ,2024-08-16

[6]

半导体封装及其形成方法 [P].

张家纶 ;

谢静华 ;

蔡仲豪 ;

刘重希 ;

王垂堂 ;

林修任 .

中国专利 :CN113053835A ,2021-06-29

[7]

半导体封装及其形成方法 [P].

金泳龙 ;

金泰勋 ;

张喆容 ;

李种昊 .

中国专利 :CN102891136B ,2013-01-23

[8]

半导体封装及其形成方法 [P].

李承炫 ;

朴睿进 ;

李喜秀 ;

卓铉洙 ;

朴相俊 .

韩国专利 :CN119170607A ,2024-12-20

[9]

半导体封装及其形成方法 [P].

权五荣 ;

李镕泽 ;

洪承万 .

:CN118899272A ,2024-11-05

[10]

半导体封装及其形成方法 [P].

S·克里南 ;

王松伟 ;

周志雄 ;

刘豪杰 ;

陈费费 .

中国专利 :CN109411369A ,2019-03-01

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