学术探索
学术期刊
学术作者
新闻热点
数据分析
智能评审
結晶化ガラス、高周波用基板および結晶化ガラスの製造方法[ja]
被引:0
申请号
:
JP20250005698
申请日
:
2025-01-15
公开(公告)号
:
JP2025061344A
公开(公告)日
:
2025-04-10
发明(设计)人
:
KAJIWARA TAKAHITO
TSUCHIYA HIROYUKI
OGAWA TOMOTAKA
AKATSUKA KIMIAKI
申请人
:
AGC INC
申请人地址
:
IPC主分类号
:
C03C10/04
IPC分类号
:
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
国省代码
:
引用
下载
收藏
法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
共 50 条
[21]
ガラスセラミック誘電体材料、焼結体、焼結体の製造方法及び高周波用回路部材[ja]
[P].
日本专利
:JP7737076B2
,2025-09-10
[22]
高周波デバイス用基板およびその製造方法[ja]
[P].
日本专利
:JP7609154B2
,2025-01-07
[23]
高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7722421B2
,2025-08-13
[24]
高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2020100834A1
,2021-09-27
[25]
高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP7409316B2
,2024-01-09
[26]
高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JP2025160392A
,2025-10-22
[27]
ガラスクロス及びその製造方法[ja]
[P].
ITOKAWA HAJIME
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
SHINETSU CHEMICAL CO
SHINETSU CHEMICAL CO
ITOKAWA HAJIME
.
日本专利
:JP2024150149A
,2024-10-23
[28]
高周波デバイス用シリカガラス及び高周波デバイス[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2019093182A1
,2020-11-26
[29]
ガラス形成装置およびその方法[ja]
[P].
日本专利
:JP2018509374A
,2018-04-05
[30]
高周波トランスおよび移相器[ja]
[P].
日本专利
:JPWO2018012400A1
,2018-08-30
←
1
2
3
4
5
→