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半导体器件及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210906351.3
申请日：
2022-07-29
公开(公告)号：
CN115223933B
公开(公告)日：
2025-04-25
发明(设计)人：
邢家明
戴辛志
肖海波
高喜峰
施喆天
申请人：
豪威集成电路（成都）有限公司
申请人地址：
610041 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区和乐二街171号B6栋2单元4楼
IPC主分类号：
H01L21/78
IPC分类号：
H01L21/683
代理机构：
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人：
尤彩红
法律状态：
授权
国省代码：
江苏省
常州市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-04-25 | 授权 | 授权 |