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一种半导体结构形成方法及半导体结构
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202510368310.7
申请日
:
2025-03-27
公开(公告)号
:
CN119890041A
公开(公告)日
:
2025-04-25
发明(设计)人
:
胥沛雯
王士京
王兆祥
梁洁
王晓雯
仲凯
许竞翔
申请人
:
上海邦芯半导体科技有限公司
申请人地址
:
201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房
IPC主分类号
:
H01L21/3065
IPC分类号
:
H01L21/308
H01L21/67
H01L21/768
H01L23/538
代理机构
:
上海华霆知识产权代理事务所(普通合伙) 31576
代理人
:
张磊
法律状态
:
公开
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-04-25
公开
公开
2025-10-21
授权
授权
2025-05-13
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/3065申请日:20250327
共 50 条
[1]
一种半导体结构形成方法及半导体结构
[P].
胥沛雯
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
胥沛雯
;
王士京
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王士京
;
王兆祥
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王兆祥
;
梁洁
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
梁洁
;
王晓雯
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
王晓雯
;
仲凯
论文数:
0
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0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
仲凯
;
许竞翔
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
上海邦芯半导体科技有限公司
上海邦芯半导体科技有限公司
许竞翔
.
中国专利
:CN119890041B
,2025-10-21
[2]
半导体结构形成方法
[P].
浦栋
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0
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0
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0
浦栋
;
惠利省
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0
惠利省
;
杨国文
论文数:
0
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0
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0
杨国文
.
中国专利
:CN112992660B
,2021-06-18
[3]
半导体结构及半导体结构形成方法
[P].
请求不公布姓名
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司
深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司
请求不公布姓名
.
中国专利
:CN118486692A
,2024-08-13
[4]
半导体结构及半导体结构形成方法
[P].
余振华
论文数:
0
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0
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0
余振华
;
苏安治
论文数:
0
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0
苏安治
;
吴集锡
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吴集锡
;
叶德强
论文数:
0
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0
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0
叶德强
;
吴仓聚
论文数:
0
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0
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0
吴仓聚
;
邱文智
论文数:
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0
邱文智
;
叶名世
论文数:
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0
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0
叶名世
.
中国专利
:CN110444482B
,2019-11-12
[5]
半导体结构及半导体结构形成方法
[P].
陶大伟
论文数:
0
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0
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0
陶大伟
.
中国专利
:CN112490244A
,2021-03-12
[6]
半导体结构形成方法及半导体结构
[P].
卢仁祥
论文数:
0
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0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
卢仁祥
;
蔡宗翰
论文数:
0
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0
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机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
蔡宗翰
;
张世勳
论文数:
0
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0
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0
机构:
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾积体电路制造股份有限公司
张世勳
.
中国专利
:CN110610989B
,2024-10-29
[7]
半导体结构形成方法
[P].
刘中元
论文数:
0
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0
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0
刘中元
;
赵鹏
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0
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赵鹏
;
马孝田
论文数:
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马孝田
.
中国专利
:CN111725068A
,2020-09-29
[8]
半导体结构形成方法
[P].
刘中元
论文数:
0
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0
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
刘中元
;
赵鹏
论文数:
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
赵鹏
;
马孝田
论文数:
0
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0
机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
马孝田
.
中国专利
:CN111725068B
,2024-06-18
[9]
半导体结构形成方法
[P].
沈思杰
论文数:
0
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沈思杰
;
刘宪周
论文数:
0
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刘宪周
;
苟鸿雁
论文数:
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0
苟鸿雁
.
中国专利
:CN102723278B
,2012-10-10
[10]
半导体结构形成方法
[P].
何永根
论文数:
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何永根
.
中国专利
:CN105655252B
,2016-06-08
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