一种半导体结构形成方法及半导体结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202510368310.7
申请日
2025-03-27
公开(公告)号
CN119890041A
公开(公告)日
2025-04-25
发明(设计)人
胥沛雯 王士京 王兆祥 梁洁 王晓雯 仲凯 许竞翔
申请人
上海邦芯半导体科技有限公司
申请人地址
201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区平霄路358号7号厂房、9号厂房
IPC主分类号
H01L21/3065
IPC分类号
H01L21/308 H01L21/67 H01L21/768 H01L23/538
代理机构
上海华霆知识产权代理事务所(普通合伙) 31576
代理人
张磊
法律状态
公开
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
一种半导体结构形成方法及半导体结构 [P]. 
胥沛雯 ;
王士京 ;
王兆祥 ;
梁洁 ;
王晓雯 ;
仲凯 ;
许竞翔 .
中国专利 :CN119890041B ,2025-10-21
[2]
半导体结构形成方法 [P]. 
浦栋 ;
惠利省 ;
杨国文 .
中国专利 :CN112992660B ,2021-06-18
[3]
半导体结构及半导体结构形成方法 [P]. 
请求不公布姓名 .
中国专利 :CN118486692A ,2024-08-13
[4]
半导体结构及半导体结构形成方法 [P]. 
余振华 ;
苏安治 ;
吴集锡 ;
叶德强 ;
吴仓聚 ;
邱文智 ;
叶名世 .
中国专利 :CN110444482B ,2019-11-12
[5]
半导体结构及半导体结构形成方法 [P]. 
陶大伟 .
中国专利 :CN112490244A ,2021-03-12
[6]
半导体结构形成方法及半导体结构 [P]. 
卢仁祥 ;
蔡宗翰 ;
张世勳 .
中国专利 :CN110610989B ,2024-10-29
[7]
半导体结构形成方法 [P]. 
刘中元 ;
赵鹏 ;
马孝田 .
中国专利 :CN111725068A ,2020-09-29
[8]
半导体结构形成方法 [P]. 
刘中元 ;
赵鹏 ;
马孝田 .
中国专利 :CN111725068B ,2024-06-18
[9]
半导体结构形成方法 [P]. 
沈思杰 ;
刘宪周 ;
苟鸿雁 .
中国专利 :CN102723278B ,2012-10-10
[10]
半导体结构形成方法 [P]. 
何永根 .
中国专利 :CN105655252B ,2016-06-08