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一种分子束外延设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510395073.3
申请日：
2025-03-31
公开(公告)号：
CN120119325A
公开(公告)日：
2025-06-10
发明(设计)人：
刘可为 陈星 申德振 杨佳霖 程祯 朱勇学 李炳辉
申请人：
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请人地址：
130033 吉林省长春市经济技术开发区东南湖大路3888号
IPC主分类号：
C30B25/02
IPC分类号：
C30B29/16 C30B25/14 C30B25/12 C23C16/505
代理机构：
长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218
代理人：
陈陶
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-10 公开 公开
2025-06-27 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/02申请日:20250331
共 50 条
[1]
分子束外延设备 [P]. 
楼厦 ;
薛聪 ;
倪健 .
中国专利 :CN220746138U ,2024-04-09
[2]
分子束外延设备及分子束外延设备的控制方法 [P]. 
彭长四 ;
周均铭 ;
杨晓楠 ;
倪健 .
中国专利 :CN117403323A ,2024-01-16
[3]
分子束外延设备的源炉及分子束外延设备 [P]. 
彭长四 ;
周均铭 ;
倪健 .
中国专利 :CN220788877U ,2024-04-16
[4]
一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法 [P]. 
吕有明 ;
梁红伟 ;
李炳辉 ;
吴春霞 ;
颜建锋 ;
魏志鹏 ;
赵东旭 ;
申德振 .
中国专利 :CN1258005C ,2004-08-04
[5]
分子束外延设备的样品台及分子束外延设备 [P]. 
楼厦 ;
倪健 ;
赵金堂 .
中国专利 :CN120425453A ,2025-08-05
[6]
分子束外延设备的源炉及分子束外延设备 [P]. 
彭长四 ;
周均铭 ;
倪健 .
中国专利 :CN220867575U ,2024-04-30
[7]
分子束外延设备的样品台及分子束外延设备 [P]. 
楼厦 ;
倪健 ;
赵金堂 .
中国专利 :CN120425453B ,2025-12-26
[8]
一种热裂解蒸发源及分子束外延设备 [P]. 
艾金虎 .
中国专利 :CN221778028U ,2024-09-27
[9]
分子束外延设备及p型宽禁带氧化物半导体制备方法 [P]. 
陈星 ;
刘可为 ;
申德振 ;
杨佳霖 ;
程祯 ;
朱勇学 ;
李炳辉 .
中国专利 :CN120119326A ,2025-06-10
[10]
一种激光加热样品台及分子束外延设备 [P]. 
艾金虎 .
中国专利 :CN221778026U ,2024-09-27
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